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绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌

李 鑫 王晓伟 李雪飞 乔 峰 梅嘉欣 李 伟 徐 骏 黄信凡 陈坤基

绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌

李 鑫, 王晓伟, 李雪飞, 乔 峰, 梅嘉欣, 李 伟, 徐 骏, 黄信凡, 陈坤基
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-06-17
  • 修回日期:  2004-07-16
  • 刊出日期:  2004-06-05

绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10374049,90301009,90101020)、国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)、江苏省自然科学基金(批准号:BK2002407)和南京大学分析测试基金资助的课题.

摘要: 利用等离子体增强化学气相淀积技术,在绝缘氮化硅(SiNx)衬底上制备超薄非晶硅(aSi:H)薄膜,通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理,制备出高密度、均匀纳米硅(ncSi)量子点.使用原子力显微镜对处理前后样品的表面形貌进行了研究,发现激光辐照能量密度增加的同时,所形成的ncSi尺寸也随之增加.在合适的能量密度范围内,可以得到面密度大于10.11cm^2、尺寸分布标准偏差小于20%的10 nm ncSi量子点薄膜,表明所制备的ncSi量子点具有较好的均匀性及较高的面密度.同时,对ncS i量子点

English Abstract

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