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Si(111)解理面氧吸附后Si L2,3VV俄歇谱形的分析

徐至中 戴道宣 邹惠良

Si(111)解理面氧吸附后Si L2,3VV俄歇谱形的分析

徐至中, 戴道宣, 邹惠良
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-10-04
  • 刊出日期:  2005-05-10

Si(111)解理面氧吸附后Si L2,3VV俄歇谱形的分析

  • 1. (1)复旦大学现代物理研究所; (2)上海计量局测试技术研究所

摘要: 对Si(111)解理清洁表面及其在氧吸附后测得的SiL2,3VV俄歇谱进行数字积分、背底扣除及退自卷积后,得到了解理清洁表面在氧吸附前后的部分跃迁态密度。分析这两者之间的差别,结合别人的实验及理论计算结果表明:氧同时以分子形式及原子形式进行吸附,在吸附过程中,还同时形成氧化硅的价态。

English Abstract

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