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Gd掺杂的Bi系2212相单晶电子状态的X射线光电子能谱研究

张其瑞 王楠林 沙健 汪习清 钱逸泰 陈祖耀

Gd掺杂的Bi系2212相单晶电子状态的X射线光电子能谱研究

张其瑞, 王楠林, 沙健, 汪习清, 钱逸泰, 陈祖耀
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-04-17
  • 刊出日期:  2005-07-03

Gd掺杂的Bi系2212相单晶电子状态的X射线光电子能谱研究

  • 1. (1)浙江大学物理系,杭州,310027; (2)中国科学技术大学物理系结构分析开放研究实验室,合肥,230026; (3)中国科学技术大学应用化学系,合肥,230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    高等学校博士学科点专项科研基金

摘要: 利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Bi系纯2212相超导单晶和Gd掺杂的2212相绝缘体单晶的电子状态的区别。实验结果表明Gd掺杂引起超导电性的变化是由于D2p轨道空穴填充引起。本文还对Cu2p3/2XPS卫星峰与主峰强度之比(Is/Im),Bi-O层性质以及Bi系Fermi能级附近态密度的来源等问题进行了讨论。

English Abstract

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