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P2S5/NH4OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究

钟战天 罗文哲 牟善明 张开颜 李侠 李承芳

P2S5/NH4OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究

钟战天, 罗文哲, 牟善明, 张开颜, 李侠, 李承芳
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-04-17
  • 刊出日期:  2005-07-03

P2S5/NH4OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京,100080

摘要: 采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P2S5/NH4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P2S5/NH4OH溶液处理后,GaAs表面处Ga2O3和As2O3

English Abstract

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