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电致发光中SiO2加速层中电子的输运特性

王文静 徐叙瑢 蔡军

电致发光中SiO2加速层中电子的输运特性

王文静, 徐叙瑢, 蔡军
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-05-09
  • 刊出日期:  1995-07-20

电致发光中SiO2加速层中电子的输运特性

  • 1. (1)天津理工学院材料物理研究所,天津300191; (2)中国科学技术大学物理系,合肥230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    国家“863”高科技项目资助的课题.

摘要: 研究作为电致发光的加速层的SiO_2中电子的输运行为.给出SiO_2层中陷阶辅助电荷输运的理论模型,并用实验对这一模型进行了验证.认为电致发光条件下SiO_1层中的电子在低场下是以陷阱跳跃的形式输运的,而在高场下陷阱中的电子离化进入导带.

English Abstract

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