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镶嵌在SiO2薄膜中纳米GaAs颗粒的Raman散射研究

石旺舟 姚伟国 戚震中 何怡贞

镶嵌在SiO2薄膜中纳米GaAs颗粒的Raman散射研究

石旺舟, 姚伟国, 戚震中, 何怡贞
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-04-26
  • 刊出日期:  1995-07-20

镶嵌在SiO2薄膜中纳米GaAs颗粒的Raman散射研究

  • 1. 中国科学院固体物理研究所,合肥230031中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,合肥230026

摘要: 纳米GaAs颗粒通过射频磁控共溅法成功地被镶嵌在SiO_2薄膜中.通过不同基片温度下沉积的薄膜的Raman光谱观察到了明显的声子限域效应.其结果表明:当沉积时基片温度低于200℃时,X射线衍射和Raman散射均表现出非晶结构特征;当基片温度升高到300℃时,薄膜内的GaAs具有闪锌矿结构,同时其结构振动纵光学声子模对应的Raman散射峰将从非晶散射峰中分离出来,但同大块材料相比,该峰表现出明显的宽化和红移;随着沉积时的基片温度进一步提高,其宽化和红移相应地减小.

English Abstract

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