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多孔硅的微结构与发光特性研究

刘小兵 袁帅 廖良生 何钧 缪熙月 范洪雷 侯晓远 孙洁林 徐磊 李民乾

多孔硅的微结构与发光特性研究

刘小兵, 袁帅, 廖良生, 何钧, 缪熙月, 范洪雷, 侯晓远, 孙洁林, 徐磊, 李民乾
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-11-11
  • 刊出日期:  1997-04-05

多孔硅的微结构与发光特性研究

  • 1. (1)长沙电力学院物理系; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室; (3)中国科学院上海原子核研究所核分析中心
    基金项目: 

    国家自然科学基金,国家教育委员会跨世纪人才基金资助的课题.

摘要: 利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究.表面和侧面的AFM结果表明,多孔硅表面呈“小山”状,有许多小的、突出的硅颗粒.在相同的腐蚀条件(等效)下,脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出,侧面的线状结构更明显,多孔硅层更厚.对应的PL谱,脉冲腐蚀的样品发光更强.量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果

English Abstract

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