搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

王小军 郑联喜 肖智博 胡雄伟 王启明 张子平 金星

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

王小军, 郑联喜, 肖智博, 胡雄伟, 王启明, 张子平, 金星
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2728
  • PDF下载量:  588
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1996-04-08
  • 修回日期:  1997-03-25
  • 刊出日期:  1997-09-20

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心; (2)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室; (3)中国科学院北京电子显微镜实验室

摘要: InxGa1-xAs缓冲层上生长InyGa1-yAs/GaAs超晶格(x<y).阱层处于压缩应变,垒层处于伸张应变,其厚度均小于Mathews-Blakeslee(M-B)平衡理论计算的临界厚度.透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现,GaAs/InyGa1-yAs界面铟组分过渡区比InyGa1-yAs/GaAs界面铟组

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回