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Si1-xGex/Si异质结构中热应力对临界厚度的影响

黄靖云 叶志镇 阙端麟

Si1-xGex/Si异质结构中热应力对临界厚度的影响

黄靖云, 叶志镇, 阙端麟
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-12-09
  • 修回日期:  1997-04-28
  • 刊出日期:  1997-10-20

Si1-xGex/Si异质结构中热应力对临界厚度的影响

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室
    基金项目: 

    国家自然科学基金,国家教育委员会跨世纪优秀人才培养计划

摘要: 系统分析了Si1-xGex/Si外延生长中热应力对外延生长的影响.假设Si Ge的线膨胀系数是随Ge的组分线性变化的,由此计算出热应变和应变能密度.根据能量平衡原理,当失配应变能密度加热应变能密度等于位错能密度时,外延层达到临界厚度,在People的基础上得出了改进的临界厚度计算公式.理论计算值与People的实验值更相近.

English Abstract

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