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外延Si1-xGex薄层中浅杂质的光热电离光谱

龚大卫 石晓红 刘普霖 陈张海 史国良 沈学础

外延Si1-xGex薄层中浅杂质的光热电离光谱

龚大卫, 石晓红, 刘普霖, 陈张海, 史国良, 沈学础
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-05-02
  • 刊出日期:  1997-02-15

外延Si1-xGex薄层中浅杂质的光热电离光谱

  • 1. (1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室

摘要: 在Si1-xGex合金外延层中利用光热电离光谱方法观察到了Si0.92Ge0.08合金中浅施主磷的2p±及3p±态的分立谱线,并根据有效质量近似理论估算了Si0.92Ge0.08合金中磷施主的电离能为45.51meV.与硅相比,由于合金的无序效应,Si1-xGex合金的分立谱线发生明显展宽

English Abstract

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