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K/GaAs(100)表面的氮化

胡海天 来 冰 袁泽亮 丁训民 侯晓远

K/GaAs(100)表面的氮化

胡海天, 来 冰, 袁泽亮, 丁训民, 侯晓远
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-08-04
  • 修回日期:  1997-09-15
  • 刊出日期:  1998-06-20

K/GaAs(100)表面的氮化

  • 1. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金和上海市科学技术委员会资助的课题.

摘要: K吸附层的存在能促进GaAs(100)表面在室温下的氮化.光电发射测量为此提供了证据.在将K/GaAs(100)暴露于纯氮以后,价带和芯能级谱均会出现显著变化:功函数有一定程度回升,价带谱中显露N2p峰,Ga2p和As2p芯能级谱中产生化学位移分量.就所研究的三种不同的K覆盖度(1/4,1/2和1ML)而言,1ML的那种显示了最强的促进作用.

English Abstract

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