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SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

郭林 张正幡 郝跃 朱建纲

SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

郭林, 张正幡, 郝跃, 朱建纲
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-12-22

SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

  • 1. (1)四川固体电路研究所,重庆400060; (2)西安电子科技大学理学院 ,西安  71 0 0 71

English Abstract

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