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离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

聂冬 董闯; 马腾才 金星 李晓娜 张泽

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

聂冬, 董闯;, 马腾才, 金星, 李晓娜, 张泽
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-03-10
  • 修回日期:  2001-07-10
  • 刊出日期:  2005-04-11

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

  • 1. (1)三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部 ,大连理工大学材料工程系 ,大连  1 1 60 2 4; (2)三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,大连116024中国科学院北京电子显微镜实验室北京100080; (3)中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :5 9872 0 0 7)资助的课题

摘要: 采用MEVVA源(MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成βFeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下βFeSi2薄膜的显微结构变化.研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的βFeSi2表面层和埋入层.制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γFeSi2→βFeSi2→αFeSi2,CsClFeSi2→βFeSi2→αFeSi2或βFeSi2→αFeSi2.当注入参数增加到60kV,4×1017ionscm2,就会导致非晶

English Abstract

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