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具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合

于广华 朱逢吾 何珂 赖武彦 李明华

具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合

于广华, 朱逢吾, 何珂, 赖武彦, 李明华
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-12-20

具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合

  • 1. (1)北京科技大学材料物理系,北京100083; (2)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080; (3)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080;北京科技大学材料物理系,北京100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目 (批准号 :19890 3 10 )资助的课题

摘要: 用磁控溅射方法制备了NiFeⅠFeMnBiNiFeⅡ薄膜,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ及NiFeⅡ间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化.发现随分隔层Bi厚度的增加,FeMn与NiFeⅠ间的交换偏置场Hex1几乎不变,FeMn与NiFeⅡ间的交换偏置场Hex2急剧减小.当Bi的厚度超过06nm时,FeMn与NiFeⅡ之间的交换偏置场从6925下降为0876kA·m-1.x射线光电子能谱(XPS)分析表明,沉积在FeMnNiFeⅡ界面的Bi并没有全部停留在界面处,至少有部分偏聚到Ni

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