| [1] |
闫丽彬, 白雨蓉, 李培, 柳文波, 何欢, 贺朝会, 赵小红. InP中点缺陷迁移机制的第一性原理计算. 物理学报,
2024, 73(18): 183101.
doi: 10.7498/aps.73.20240754
|
| [2] |
白雨蓉, 李培, 何欢, 刘方, 李薇, 贺朝会. 近地轨道质子和α粒子入射InP产生的位移损伤模拟. 物理学报,
2024, 73(5): 052401.
doi: 10.7498/aps.73.20231499
|
| [3] |
李薇, 白雨蓉, 郭昊轩, 贺朝会, 李永宏. InP中子位移损伤效应的Geant4模拟. 物理学报,
2022, 71(8): 082401.
doi: 10.7498/aps.71.20211722
|
| [4] |
张姗, 胡晓宁. Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究. 物理学报,
2011, 60(6): 068502.
doi: 10.7498/aps.60.068502
|
| [5] |
施卫, 马湘蓉, 薛红. 半绝缘GaAs光电导开关的瞬态热效应. 物理学报,
2010, 59(8): 5700-5705.
doi: 10.7498/aps.59.5700
|
| [6] |
王 博, 赵有文, 董志远, 邓爱红, 苗杉杉, 杨 俊. 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷. 物理学报,
2007, 56(3): 1603-1607.
doi: 10.7498/aps.56.1603
|
| [7] |
李 潇, 张海英, 尹军舰, 刘 亮, 徐静波, 黎 明, 叶甜春, 龚 敏. 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4117-4121.
doi: 10.7498/aps.56.4117
|
| [8] |
赵有文, 董志远. InP中深能级缺陷的产生与抑制现象. 物理学报,
2007, 56(3): 1476-1479.
doi: 10.7498/aps.56.1476
|
| [9] |
赵有文, 苗杉杉, 董志远, 吕小红, 邓爱红, 杨 俊, 王 博. 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响. 物理学报,
2007, 56(9): 5536-5541.
doi: 10.7498/aps.56.5536
|
| [10] |
李 潇, 刘 亮, 张海英, 尹军舰, 李海鸥, 叶甜春, 龚 敏. 一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型. 物理学报,
2006, 55(7): 3617-3621.
doi: 10.7498/aps.55.3617
|
| [11] |
宋淑芳, 陈维德, 许振嘉, 徐叙瑢. 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究. 物理学报,
2006, 55(3): 1407-1412.
doi: 10.7498/aps.55.1407
|
| [12] |
黄杨程, 刘大福, 梁晋穗, 龚海梅. 短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究. 物理学报,
2005, 54(5): 2261-2266.
doi: 10.7498/aps.54.2261
|
| [13] |
冉广照, 陈 源, 陈开茅, 张晓岚, 刘鸿飞. 在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级. 物理学报,
2004, 53(10): 3498-3503.
doi: 10.7498/aps.53.3498
|
| [14] |
袁先漳, 裴慧元, 陆卫, 李宁, 史国良, 方家熊, 沈学础. Zn0.04Cd0.96Te中深能级的红外光电导谱研究. 物理学报,
2001, 50(4): 775-778.
doi: 10.7498/aps.50.775
|
| [15] |
丁瑞钦, 王浩, W.F.LAU, W.Y.CHEUNG, S.P.WONG, 王宁娟, 于英敏. InP/SiO2纳米复合膜的微观结构和光学性质. 物理学报,
2001, 50(8): 1574-1579.
doi: 10.7498/aps.50.1574
|
| [16] |
陈开茅, 金泗轩, 贾勇强, 邱素娟, 吕云安, 何梅芬, 刘鸿飞. 注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿. 物理学报,
1996, 45(3): 491-498.
doi: 10.7498/aps.45.491
|
| [17] |
陈开茅, 金泗轩, 邱素娟, 吕云安, 何梅芬, 兰李桥. 浅杂质注入LEC半绝缘GaAs γ射线辐照缺陷. 物理学报,
1994, 43(8): 1344-1351.
doi: 10.7498/aps.43.1344
|
| [18] |
卢励吾, 周洁, 封松林, 段树坤. 低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究. 物理学报,
1994, 43(5): 779-784.
doi: 10.7498/aps.43.779
|
| [19] |
乔皓, 徐至中, 张开明. 形变Si,Ge中的深能级. 物理学报,
1993, 42(11): 1830-1835.
doi: 10.7498/aps.42.1830
|
| [20] |
邱素娟, 陈开茅, 武兰青. 注硅半绝缘GaAs的深能级. 物理学报,
1993, 42(8): 1304-1310.
doi: 10.7498/aps.42.1304
|
下载:
