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p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究

毛清华 江风益 程海英 郑畅达

p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究

毛清华, 江风益, 程海英, 郑畅达
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  • 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子
    • 基金项目: 教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730),国家高新技术研究发展计划(批准号:2006AA03A128),江西省研究生创新基金(批准号:YC09A024)资助的课题.
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    Heikman S, Keller S, Wu Y, Speck J S, Denbaars S P, Mishra U K 2003 J. Appl. Phys. 93 10114

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-25
  • 修回日期:  2010-03-08
  • 刊出日期:  2010-11-15

p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究

  • 1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047
    基金项目: 

    教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730),国家高新技术研究发展计划(批准号:2006AA03A128),江西省研究生创新基金(批准号:YC09A024)资助的课题.

摘要: 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子

English Abstract

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