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利用肖特基势垒特性研究4mm波段硅雪崩二极管的杂质分布

林鸿溢

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利用肖特基势垒特性研究4mm波段硅雪崩二极管的杂质分布

林鸿溢

AN INVESTIGATION OF THE IMPURITY PROFILE OF THE 4mm BAND SILICON AVALANCHE DIODE BY MEANS OF THE SCHOTTKY BARRIER CHARACTERISTICS

LIN HONG-YI
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出版历程
  • 收稿日期:  1977-04-26
  • 刊出日期:  2005-08-01

利用肖特基势垒特性研究4mm波段硅雪崩二极管的杂质分布

  • 1. 中国科学院半导体研究所

摘要: 本文研究了4mm波段硅雪崩二极管剖面的杂质浓度分布。测量并讨论了研制器件的外延层杂质分布特性,和器件杂质分布及其对器件性能的影响。文中阐述了肖特基势垒的基本方程,给出计算曲线;讨论了测量条件及产生误差的主要方面。作为实验技术的改进,我们装置了水银探针,讨论了确定Hg-Si势垒面积的理论依据和测量方法,并获得了Hg-Si势垒高度φms和内建势Vbi的实验值,以及稳定势垒面积的条件。

English Abstract

参考文献 (1)

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