| [1] | 罗长维, 仇猛淋, 王广甫, 王庭顺, 赵国强, 华青松. 利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化. 物理学报,
												2020, 69(10): 102901.
												
												doi: 10.7498/aps.69.20200029 | 
							
									| [2] | 许蓉, 贾光一, 刘昌龙. Cu, Zn离子注入SiO2纳米颗粒合成及氧气氛围下的热稳定性研究. 物理学报,
												2014, 63(7): 078501.
												
												doi: 10.7498/aps.63.078501 | 
							
									| [3] | 段宝兴, 杨银堂, 陈敬. F离子注入新型Al0.25Ga0.75 N/GaN HEMT 器件耐压分析. 物理学报,
												2012, 61(22): 227302.
												
												doi: 10.7498/aps.61.227302 | 
							
									| [4] | 臧航, 王志光, 庞立龙, 魏孔芳, 姚存峰, 申铁龙, 孙建荣, 马艺准, 缑洁, 盛彦斌, 朱亚滨. 离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究. 物理学报,
												2010, 59(7): 4831-4836.
												
												doi: 10.7498/aps.59.4831 | 
							
									| [5] | 付伟佳, 刘志文, 刘明, 牟宗信, 张庆瑜, 关庆丰, 陈康敏. 离子注入Zn的Si(001)基片热氧化制备纳米ZnO团簇及其生长行为研究. 物理学报,
												2009, 58(8): 5693-5699.
												
												doi: 10.7498/aps.58.5693 | 
							
									| [6] | 郝小鹏, 王宝义, 于润升, 魏 龙. 锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究. 物理学报,
												2007, 56(11): 6543-6546.
												
												doi: 10.7498/aps.56.6543 | 
							
									| [7] | 胡良均, 陈涌海, 叶小玲, 王占国. Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究. 物理学报,
												2007, 56(8): 4930-4935.
												
												doi: 10.7498/aps.56.4930 | 
							
									| [8] | 陈志权, 河裾厚男. He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究. 物理学报,
												2006, 55(8): 4353-4357.
												
												doi: 10.7498/aps.55.4353 | 
							
									| [9] | 张小东, 林德旭, 李公平, 尤  伟, 张利民, 张  宇, 刘正民. 离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究. 物理学报,
												2006, 55(10): 5487-5493.
												
												doi: 10.7498/aps.55.5487 | 
							
									| [10] | 满宝元, 张运海, 吕国华, 刘爱华, 张庆刚, L. Guzman, M. Adami, A. Miotello. N+离子注入聚四氟乙烯表面改性研究. 物理学报,
												2005, 54(2): 837-841.
												
												doi: 10.7498/aps.54.837 | 
							
									| [11] | 陆  挺, 周宏余, 丁晓纪, 汪新福, 朱光华. 低能离子注入植物种子的深度分布及生物效应机理研究. 物理学报,
												2005, 54(10): 4822-4826.
												
												doi: 10.7498/aps.54.4822 | 
							
									| [12] | 张谷令, 王久丽, 杨武保, 范松华, 刘赤子, 杨思泽. 内表面栅极等离子体源离子注入TiN薄膜及其特性研究. 物理学报,
												2003, 52(9): 2213-2218.
												
												doi: 10.7498/aps.52.2213 | 
							
									| [13] | 张纪才, 戴伦, 秦国刚, 应丽贞, 赵新生. 离子注入GaN的拉曼散射研究. 物理学报,
												2002, 51(3): 629-634.
												
												doi: 10.7498/aps.51.629 | 
							
									| [14] | 邹云娟, 严  辉, 陈光华, 金运范, 杨  茹. C60薄膜的离子注入损伤研究. 物理学报,
												1998, 47(11): 1923-1927.
												
												doi: 10.7498/aps.47.1923 | 
							
									| [15] | 王国梅, 恽怀顺, 江冰, 李兴丹, 吴代华, 杨生荣. Ni离子注入多晶ZrO2的表面电性能和结构. 物理学报,
												1996, 45(7): 1160-1167.
												
												doi: 10.7498/aps.45.1160 | 
							
									| [16] | 田人和, 卢武星, 李竹怀, 高愈尊. InSb中离子注入二次缺陷研究. 物理学报,
												1992, 41(5): 809-813.
												
												doi: 10.7498/aps.41.809 | 
							
									| [17] | 李世普, 樊东辉, 王国梅, 邢宁, 任卫. Fe离子注入多晶Al2O3的光电子能谱研究. 物理学报,
												1991, 40(6): 857-861.
												
												doi: 10.7498/aps.40.857 | 
							
									| [18] | 张岳鲁, 华耜耘, 梅良模, 栾开政, 刘宜华. 硼离子注入多晶铁薄膜的非晶化作用的研究. 物理学报,
												1988, 37(8): 1373-1375.
												
												doi: 10.7498/aps.37.1373 | 
							
									| [19] | 张岳鲁, 梅良模, 郭贻诚, 郭小钦, 丛培杰. 硼离子注入多晶铁薄膜产生非晶态合金层的过程的研究. 物理学报,
												1986, 35(7): 850-854.
												
												doi: 10.7498/aps.35.850 | 
							
									| [20] | 夏日源. 高剂量离子注入形成的非晶层重新结晶过程中杂质外扩散的物理模型. 物理学报,
												1980, 29(5): 566-576.
												
												doi: 10.7498/aps.29.566 |