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射频反应性溅射沉积的Cd2SnO4薄膜物理性质与缺陷特性研究

彭栋梁 蒋生蕊

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射频反应性溅射沉积的Cd2SnO4薄膜物理性质与缺陷特性研究

彭栋梁, 蒋生蕊

INVESTIGATION ON THE PHYSICAL PROPERTIES AND DEFECTS OF Cd2SnO4 FILMS DEPOSITED BY RF REACTIVE SPUTTERING

PENG DONG-LIANG, JIANG SHENG-RUI
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-01-20
  • 刊出日期:  1992-06-05

射频反应性溅射沉积的Cd2SnO4薄膜物理性质与缺陷特性研究

  • 1. 兰州大学物理系,兰州730000
    基金项目: 国家自然科学基金

摘要: 在Ar+O2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd2SnO4(简称CTO)薄膜。用X射线衍射测量了CTO膜的结构。实验结果表明,这种薄膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度、衬底温度以及沉积后的热处理。获得的CTO膜最低电阻率为1.74×10-6Ω·cm,可见光光谱区最高透射率为95%。对于氧浓度为6%、衬底温度为400℃时沉积的CTO膜,经热处理后,其光隙能由热处理前的2.37eV增大为2.6

English Abstract

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