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离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理

张东平 齐红基 邵建达 范瑞瑛 范正修

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离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理

张东平, 齐红基, 邵建达, 范瑞瑛, 范正修

Mechanism of nodule growth in ion beam sputtering films

Zhang Dong-Ping, Qi Hong-Ji, Shao Jian-Da, Fan Rui-Ying, Fan Zheng-Xiu
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-05-29
  • 修回日期:  2004-07-02
  • 刊出日期:  2005-03-17

离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理

  • 1. (1)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院研究生院,北京100864
    基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA311040)资助的课题.

摘要: 用离子束溅射法制备了锆单层薄膜.用设计新型夹具和预置种子方法,对薄膜中结瘤微缺陷的生长过程进行了研究.在高分辨率光学显微镜和扫描电子显微镜下观察发现,结瘤在其生长初期呈现出分形的特征.用分子动力学和薄膜生长的扩散限制聚集模型,薄膜中结瘤微缺陷成核时的分形现象得到了很好的解释.

English Abstract

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