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双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

周文政 林 铁 商丽燕 黄志明 朱 博 崔利杰 高宏玲 李东临 郭少令 桂永胜 褚君浩

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双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 朱 博, 崔利杰, 高宏玲, 李东临, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩

Observations on subband electron properties in In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As MM-HEMT with Si δ-doped on the barriers

Zhou Wen-Zheng, Lin Tie, Shang Li-Yan, Huang Zhi-Ming, Zhu Bo, Cui Li-Jie, Gao Hong-Ling, Li Dong-Lin, Guo Shao-Ling, Gui Yong-Sheng, Chu Jun-Hao
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-05
  • 修回日期:  2006-09-25
  • 刊出日期:  2007-07-20

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