| [1] |
冉峰, 梁艳, 张坚地. 氧化物异质界面上的准二维超导. 物理学报,
2023, 72(9): 097401.
doi: 10.7498/aps.72.20230044
|
| [2] |
王继光, 李珑玲, 邱嘉图, 陈许敏, 曹东兴. 钙钛矿超晶格材料界面二维电子气的调控. 物理学报,
2023, 72(17): 176801.
doi: 10.7498/aps.72.20230573
|
| [3] |
张雪冰, 刘乃漳, 姚若河. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中二维电子气的极化光学声子散射. 物理学报,
2020, 69(15): 157303.
doi: 10.7498/aps.69.20200250
|
| [4] |
马嵩松, 舒天宇, 朱家旗, 李锴, 吴惠桢. Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展. 物理学报,
2019, 68(16): 166801.
doi: 10.7498/aps.68.20191074
|
| [5] |
李群, 陈谦, 种景. InAlN/GaN异质结二维电子气波函数的变分法研究. 物理学报,
2018, 67(2): 027303.
doi: 10.7498/aps.67.20171827
|
| [6] |
王现彬, 赵正平, 冯志红. N极性GaN/AlGaN异质结二维电子气模拟. 物理学报,
2014, 63(8): 080202.
doi: 10.7498/aps.63.080202
|
| [7] |
王红培, 王广龙, 喻颖, 徐应强, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐. 内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析. 物理学报,
2013, 62(20): 207303.
doi: 10.7498/aps.62.207303
|
| [8] |
张阳, 顾书林, 叶建东, 黄时敏, 顾然, 陈斌, 朱顺明, 郑有炓. ZnMgO/ZnO异质结构中二维电子气的研究. 物理学报,
2013, 62(15): 150202.
doi: 10.7498/aps.62.150202
|
| [9] |
王威, 周文政, 韦尚江, 李小娟, 常志刚, 林铁, 商丽燕, 韩奎, 段俊熙, 唐宁, 沈波, 褚君浩. GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究. 物理学报,
2012, 61(23): 237302.
doi: 10.7498/aps.61.237302
|
| [10] |
王平亚, 张金风, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃. 晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究. 物理学报,
2011, 60(11): 117304.
doi: 10.7498/aps.60.117304
|
| [11] |
高宏玲, 李东临, 周文政, 商丽燕, 王宝强, 朱战平, 曾一平. 不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究. 物理学报,
2007, 56(8): 4955-4959.
doi: 10.7498/aps.56.4955
|
| [12] |
周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 崔利杰, 李东临, 高宏玲, 曾一平, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4099-4104.
doi: 10.7498/aps.56.4099
|
| [13] |
周忠堂, 郭丽伟, 邢志刚, 丁国建, 谭长林, 吕 力, 刘 建, 刘新宇, 贾海强, 陈 弘, 周均铭. AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性. 物理学报,
2007, 56(10): 6013-6018.
doi: 10.7498/aps.56.6013
|
| [14] |
周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 朱 博, 崔利杰, 高宏玲, 李东临, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4143-4147.
doi: 10.7498/aps.56.4143
|
| [15] |
朱 博, 桂永胜, 周文政, 商丽燕, 郭少令, 褚君浩, 吕 捷, 唐 宁, 沈 波, 张福甲. Al0.22Ga0.78N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应. 物理学报,
2006, 55(5): 2498-2503.
doi: 10.7498/aps.55.2498
|
| [16] |
周文政, 姚 炜, 朱 博, 仇志军, 郭少令, 林 铁, 崔利杰, 桂永胜, 褚君浩. 单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性. 物理学报,
2006, 55(4): 2044-2048.
doi: 10.7498/aps.55.2044
|
| [17] |
李东临, 曾一平. InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析. 物理学报,
2006, 55(7): 3677-3682.
doi: 10.7498/aps.55.3677
|
| [18] |
孔月婵, 郑有炓, 周春红, 邓永桢, 顾书林, 沈 波, 张 荣, 韩 平, 江若琏, 施 毅. AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响. 物理学报,
2004, 53(7): 2320-2324.
doi: 10.7498/aps.53.2320
|
| [19] |
孔月婵, 郑有炓, 储荣明, 顾书林. AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响. 物理学报,
2003, 52(7): 1756-1760.
doi: 10.7498/aps.52.1756
|
| [20] |
蒋春萍, 桂永胜, 郑国珍, 马智训, 李 标, 郭少令, 褚君浩. n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究. 物理学报,
2000, 49(9): 1804-1808.
doi: 10.7498/aps.49.1804
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