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外电场作用下Si2O分子的激发特性

徐国亮 刘雪峰 夏要争 张现周 刘玉芳

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外电场作用下Si2O分子的激发特性

徐国亮, 刘雪峰, 夏要争, 张现周, 刘玉芳

Excitation of Si2O molecule under external electric field

Xu Guo-Liang, Liu Xue-Feng, Xia Yao-Zheng, Zhang Xian-Zhou, Liu Yu-Fang
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  • 主要对2种Si2O分子异构体的激发特性进行研究,由计算结果可知,外电场对Si2O分子的激发能,振子强度,跃迁偶极矩及吸收光谱有着显著的影响.无外电场时三角型Si2O(C2v,1A1)分子在可见光区无吸收谱,外电场作用下其在可见光区(407.18—526.93 nm)有比较弱的吸收谱.直线型Si-Si-O(C
    The present work is devoted to the study of the excitation of two kinds of Si2O isomers. The results show that the is excitation energies, oscillator strengths, transition electric dipole moments and absorption spectra are affected evidently by external electric field. The triangular Si2O(C2v,1A1) has no visible light absorption spectrum under no external electric field, however, it has faint absorption spectrum(407.18—526.93 nm) in the visible region under external electric field. The linear Si-Si-O(C∞v,3Σ-) has absorption spectra in blue light region and in purple light both in the presence and in the absence of external electric field. One of the important results is that the linear Si-Si-O has strong blue light absorption spectrum(478.88—488.59 nm).
    • 基金项目: 河南省高校青年骨干教师资助计划(批准号: 2009GGJS-044),河南省基础与前沿技术研究计划(批准号:092300410249),河南省教育厅自然科学研究计划(批准号:2010A140008),国家自然科学基金(批准号:10774039)资助的课题.
    [1]

    Canham L T 1990 Appl. Phys. Lett. 57 1046

    [2]

    Canham L T, Barraclough K G, Robbins D J 1987 Appl. Phys. Lett. 51 1509

    [3]

    Kanemitsu Y, Suzuki K, Kyushin S, Masumoto H 1995 Phys. Rev. B 51 13103

    [4]

    Bao X M, Song H Z 1997 J. Materials Research 11 601 (in Chinese) [鲍希茂、 宋海智 1997 材料研究学报 11 601]

    [5]

    Ma Z Y, Guo S H, Chen D Y, Wei D Y, Yao Y, Zhou J, Huang R, Li W, Xu J, Xu L, Huang X F, Chen K J, Feng D 2008 Chin. Phys. B 17 303

    [6]

    Zheng L R, Huang B B, Wei J Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 8612 (in Chinese)[郑立仁、 黄柏标、 尉吉勇 2009 物理学报 58 8612]

    [7]

    Koch K, Petrova K V, Muschik T, Nikolov A, Gavrilenko V 1992 MRS Proc. 283 197

    [8]

    Tong S, Liu X N, Bao X M 1995 Appl. Phys. Lett. 66 469

    [9]

    Song H Z, Bao X M 1997 Phys. Rev. B 55 6988

    [10]

    Augustine B H, Hu Y Z, Irene E A, McNeil L E 1995 Appl. Phys. Lett. 67 3694

    [11]

    Liao L S, Bao X M, Zheng X Q, Li N S, Min N B 1996 Appl. Phys. Lett. 68 850

    [12]

    Zheng X Q, Guo X L, Liao L S, Liu Z G 1998 J. Semiconductors 19 21 (in Chinese) [郑祥钦、 郭新立、 廖良生、 刘治国 1998 半导体学报 19 21]

    [13]

    Boldyrev A I, Simons J, Zakrzewski V G, Niessen W. V 1994 J. Phys. Chem. 98 1427

    [14]

    Lu W C, Wang C Z, Nguyen V, Schmidt M W, Gordon M S, Ho K M 2003 J. Phys. Chem. A 107 693 6

    [15]

    Brown S T, Petraco N D K, Yamaguchi Y, Schaefer H F 2002 Polyhedron 21 599

    [16]

    Boldyrev A I, Simons J 1993 J. Phys. Chem. 97 5875

    [17]

    Zhu Z H, Fu Y B, Gao T, Chen Y L, Chen X J 2003 J. Atom. Mole. Phys. 20 169 (in Chinese) [朱正和、 付依备、 高 涛、 陈银亮、 陈晓军 2003 原子与分子物理学报 20 169]

    [18]

    Chen X J, Ma M Z, Luo S Z, Zhu Z H 2004 J. Atom. Mole. Phys. 21 19 (in Chinese) [陈晓军、 马美仲、 罗顺忠、 朱正和 2004 原子与分子物理学报 21 19]

    [19]

    Ruan W, Luo W L, Zhang L, Zhu Z H 2008 Acta Phys. Sin. 57 6207 (in Chinese) [阮 文、 罗文浪、 张 莉、 朱正和 2008 物理学报 57 6207]

    [20]

    Xu G L, Lü W J, Liu Y F, Zhu Z L, Zhang X Z, Sun J F 2008 Chin. Phys. B 17 4481

    [21]

    Zhang Y W, Lu Q Z, Liu Y S 1987 Molecular Spectrum (Hefei: University of Science and Technology of China Press) p11 (in Chinese) [张允武、 陆庆正、 刘玉申 1988 分子光谱学 (合肥: 中国科学技术大学出版社) 第11页]

    [22]

    Iraqi M, Goldberg N, Schwarz H 1993 J. Phys. Chem. 97 11371

    [23]

    Grimme S 1996 Chem. Phys. Lett. 259 128

    [24]

    Xu G L, Lü W J, Liu Y F, Zhu Z L, Zhang X Z, Sun J F 2009 Acta Phys. Sin. 58 3058 (in Chinese) [徐国亮、 吕文静、 刘玉芳、 朱遵略、 张现周、 孙金锋 2009 物理学报 58 3058]

    [25]

    Frisch M J, Trucks G W, Schlegel H B 2003 Gaussian03, Revision B03 (Pittsburgh PA: Gaussian Inc)

  • [1]

    Canham L T 1990 Appl. Phys. Lett. 57 1046

    [2]

    Canham L T, Barraclough K G, Robbins D J 1987 Appl. Phys. Lett. 51 1509

    [3]

    Kanemitsu Y, Suzuki K, Kyushin S, Masumoto H 1995 Phys. Rev. B 51 13103

    [4]

    Bao X M, Song H Z 1997 J. Materials Research 11 601 (in Chinese) [鲍希茂、 宋海智 1997 材料研究学报 11 601]

    [5]

    Ma Z Y, Guo S H, Chen D Y, Wei D Y, Yao Y, Zhou J, Huang R, Li W, Xu J, Xu L, Huang X F, Chen K J, Feng D 2008 Chin. Phys. B 17 303

    [6]

    Zheng L R, Huang B B, Wei J Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 8612 (in Chinese)[郑立仁、 黄柏标、 尉吉勇 2009 物理学报 58 8612]

    [7]

    Koch K, Petrova K V, Muschik T, Nikolov A, Gavrilenko V 1992 MRS Proc. 283 197

    [8]

    Tong S, Liu X N, Bao X M 1995 Appl. Phys. Lett. 66 469

    [9]

    Song H Z, Bao X M 1997 Phys. Rev. B 55 6988

    [10]

    Augustine B H, Hu Y Z, Irene E A, McNeil L E 1995 Appl. Phys. Lett. 67 3694

    [11]

    Liao L S, Bao X M, Zheng X Q, Li N S, Min N B 1996 Appl. Phys. Lett. 68 850

    [12]

    Zheng X Q, Guo X L, Liao L S, Liu Z G 1998 J. Semiconductors 19 21 (in Chinese) [郑祥钦、 郭新立、 廖良生、 刘治国 1998 半导体学报 19 21]

    [13]

    Boldyrev A I, Simons J, Zakrzewski V G, Niessen W. V 1994 J. Phys. Chem. 98 1427

    [14]

    Lu W C, Wang C Z, Nguyen V, Schmidt M W, Gordon M S, Ho K M 2003 J. Phys. Chem. A 107 693 6

    [15]

    Brown S T, Petraco N D K, Yamaguchi Y, Schaefer H F 2002 Polyhedron 21 599

    [16]

    Boldyrev A I, Simons J 1993 J. Phys. Chem. 97 5875

    [17]

    Zhu Z H, Fu Y B, Gao T, Chen Y L, Chen X J 2003 J. Atom. Mole. Phys. 20 169 (in Chinese) [朱正和、 付依备、 高 涛、 陈银亮、 陈晓军 2003 原子与分子物理学报 20 169]

    [18]

    Chen X J, Ma M Z, Luo S Z, Zhu Z H 2004 J. Atom. Mole. Phys. 21 19 (in Chinese) [陈晓军、 马美仲、 罗顺忠、 朱正和 2004 原子与分子物理学报 21 19]

    [19]

    Ruan W, Luo W L, Zhang L, Zhu Z H 2008 Acta Phys. Sin. 57 6207 (in Chinese) [阮 文、 罗文浪、 张 莉、 朱正和 2008 物理学报 57 6207]

    [20]

    Xu G L, Lü W J, Liu Y F, Zhu Z L, Zhang X Z, Sun J F 2008 Chin. Phys. B 17 4481

    [21]

    Zhang Y W, Lu Q Z, Liu Y S 1987 Molecular Spectrum (Hefei: University of Science and Technology of China Press) p11 (in Chinese) [张允武、 陆庆正、 刘玉申 1988 分子光谱学 (合肥: 中国科学技术大学出版社) 第11页]

    [22]

    Iraqi M, Goldberg N, Schwarz H 1993 J. Phys. Chem. 97 11371

    [23]

    Grimme S 1996 Chem. Phys. Lett. 259 128

    [24]

    Xu G L, Lü W J, Liu Y F, Zhu Z L, Zhang X Z, Sun J F 2009 Acta Phys. Sin. 58 3058 (in Chinese) [徐国亮、 吕文静、 刘玉芳、 朱遵略、 张现周、 孙金锋 2009 物理学报 58 3058]

    [25]

    Frisch M J, Trucks G W, Schlegel H B 2003 Gaussian03, Revision B03 (Pittsburgh PA: Gaussian Inc)

  • [1] 齐刚, 黄印博, 凌菲彤, 杨佳琦, 黄俊, 杨韬, 张雷雷, 卢兴吉, 袁子豪, 曹振松. 多微管阵列结构腔-原子吸收光谱测量Rb同位素比. 物理学报, 2023, 72(5): 053201. doi: 10.7498/aps.72.20221963
    [2] 宋峰峰, 张广铭. 拓扑激发驱动的热力学相变及其张量网络研究方法. 物理学报, 2023, 72(23): 230301. doi: 10.7498/aps.72.20231152
    [3] 蒋东镔, 张颖, 姜大朋, 朱斌, 李纲, 孙立, 黄征, 卢峰, 谢娜, 周凯南, 粟敬钦. Nd, Gd:SrF2晶体材料在宽带放大中的光谱增益特性. 物理学报, 2023, 72(22): 224208. doi: 10.7498/aps.72.20230972
    [4] 熊枫, 彭志敏, 王振, 丁艳军, 吕俊复, 杜艳君. CO2/CO干扰下基于腔衰荡吸收光谱的痕量H2S浓度测量. 物理学报, 2023, 72(4): 043302. doi: 10.7498/aps.72.20221851
    [5] 裴丽娅, 郑世阳, 牛金艳. 基于调控原子相干的Λ-型电磁感应透明与吸收. 物理学报, 2022, 71(22): 224201. doi: 10.7498/aps.71.20220950
    [6] 张解放, 俞定国, 金美贞. (2+1)维Zakharov方程的自相似变换和线怪波簇激发. 物理学报, 2022, 71(8): 084204. doi: 10.7498/aps.71.20211181
    [7] 向梅, 凌丰姿, 邓绪兰, 魏洁, 布玛丽亚∙阿布力米提, 张冰. 苯乙炔分子电子激发态超快动力学研究. 物理学报, 2021, 70(5): 053302. doi: 10.7498/aps.70.20201473
    [8] 罗文, 陈天江, 张飞舟, 邹凯, 安建祝, 张建柱. 基于阶梯相位调制的窄谱激光主动照明均匀性. 物理学报, 2021, 70(15): 154207. doi: 10.7498/aps.70.20210228
    [9] 江孝伟, 武华. 吸收波长和吸收效率可控的超材料吸收器. 物理学报, 2021, 70(2): 027804. doi: 10.7498/aps.70.20201173
    [10] 李亚莎, 刘世冲, 刘清东, 夏宇, 胡豁然, 李光竹. 外电场下含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面电学性能研究. 物理学报, 2021, (): . doi: 10.7498/aps.70.20210635
    [11] 张芳, 贾利群, 孙现亭, 戴宪起, 黄奇祥, 李伟. 电场对graphene/InSe范德瓦耳斯异质结肖特基势垒的调控. 物理学报, 2020, 69(15): 157302. doi: 10.7498/aps.69.20191987
    [12] 汪静丽, 陈子玉, 陈鹤鸣. 基于Si3N4/SiNx/Si3N4三明治结构的偏振无关1 × 2多模干涉型解复用器的设计. 物理学报, 2020, 69(5): 054206. doi: 10.7498/aps.69.20191449
    [13] 陈志鹏, 於文静, 高雷. 非局域颗粒复合介质的相干完美吸收效应. 物理学报, 2019, 68(5): 051101. doi: 10.7498/aps.68.20182108
    [14] 阎昊岚, 程雅青, 王凯礼, 王雅昕, 陈洋玮, 袁秋林, 马恒. 烷基环己苯异硫氰酸液晶材料太赫兹波吸收. 物理学报, 2019, 68(11): 116102. doi: 10.7498/aps.68.20190209
    [15] 孙肖宁, 曲兆明, 王庆国, 袁扬, 刘尚合. 电场诱导二氧化钒绝缘-金属相变的研究进展. 物理学报, 2019, 68(10): 107201. doi: 10.7498/aps.68.20190136
    [16] 马堃, 陈展斌, 黄时中. 等离子体屏蔽效应对Ar16+基态和激发态能级的影响. 物理学报, 2019, 68(2): 023102. doi: 10.7498/aps.68.20181915
    [17] 王庆玲, 迪拉热·哈力木拉提, 沈玉玲, 艾尔肯·斯地克. 多面体共替代对Sr2(Al1–xMgx)(Al1–xSi1+x)O7: Eu2+晶体结构和发光颜色的影响. 物理学报, 2019, 68(10): 100701. doi: 10.7498/aps.68.20182272
    [18] 王冲, 邢巧霞, 谢元钢, 晏湖根. 拓扑材料等离激元谱学研究. 物理学报, 2019, 68(22): 227801. doi: 10.7498/aps.68.20191098
    [19] 李酽, 张琳彬, 李娇, 连晓雪, 朱俊武. 电场条件下氧化锌结晶特性及极化产物的拉曼光谱分析. 物理学报, 2019, 68(7): 070701. doi: 10.7498/aps.68.20181961
    [20] 杜建宾, 冯志芳, 张倩, 韩丽君, 唐延林, 李奇峰. 外电场作用下MoS2的分子结构和电子光谱. 物理学报, 2019, 68(17): 173101. doi: 10.7498/aps.68.20190781
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-04
  • 修回日期:  2010-02-05
  • 刊出日期:  2010-11-15

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