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新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

秦青松 马新龙 邵宇 杨星瑜 盛鸿飞 杨靖忠 尹瑶 张加驰

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新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

秦青松, 马新龙, 邵宇, 杨星瑜, 盛鸿飞, 杨靖忠, 尹瑶, 张加驰

Synthesis and infrared up-conversion photostimulated luminescence properties of a novel optical storage material Sr2SnO4: Tb3 +, Li+

Qin Qing-Song, Ma Xin-Long, Shao Yu, Yang Xing-Yu, Sheng Hong-Fei, Yang Jing-Zhong, Yin Yao, Zhang Jia-Chi
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-15
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-05-05

新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

  • 1. 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室, 兰州 730000
    基金项目: 国家自然科学青年基金(批准号: 10904057), 国家大学生创新性实验计划( 批准号: 101073005) 和中央高校科研业务费(批准号: Lzjbky-2011-125) 资助的课题.

摘要: 采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3 +, Li +. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr2SnO4: Tb3 +, Li+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr2SnO4: Tb3 +, Li+的光存储发光机理.

English Abstract

参考文献 (14)

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