搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InGaAs薄膜表面的粗糙化过程

罗子江 周勋 王继红 郭祥 张毕禅 周清 刘珂 丁召

引用本文:
Citation:

InGaAs薄膜表面的粗糙化过程

罗子江, 周勋, 王继红, 郭祥, 张毕禅, 周清, 刘珂, 丁召

Roughening and pre-roughening processes on InGaAs surface

Luo Zi-Jiang, Zhou Xun, Wang Ji-Hong, Guo Xiang, Zhang Bi-Chan, Zhou Qing, Liu Ke, Ding Zhao
PDF
导出引用
  • 采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程, 特别针对In0.15Ga0.85As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究. 发现In0.15Ga0.85As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程. 在低温低As等效束流压强下, 薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程, 起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式, 随着退火时间的延长, 大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态; 在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛, 退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态, 表面形貌将长期处于预粗糙状态.
    Roughening and pre-roughening processes on InGaAs surface are studied using scanning tunneling microscopy. There are different roughening and pre-roughening processes for InGaAs films at different substrate temperatures and As beam equivalent pressure. Under low temperature and low As beam equivalent pressure, pits is main mechanism in the beginning of InGaAs morphology evolution, with the increase of annealing time, a great number of pits and islands are observed which make the surface rough. Small islands should play a leading role during the InGaAs morphology evolution at high temperature and high As beam equivalent pressure, and the number of islands will increase gradually with the increase of annealing time till it reaches an equilibrium state.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60866001)、 教育部博士点基金(批准号: 20105201110003)、贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(批准号: 黔省专合字(2009)114号)、 贵州省科学技术基金(批准号: 黔科篔字[2011]2095号)、 贵州省留学人员科技项目(批准号: Z103233)和贵州财经大学2010博士基金资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60866001), Specialties Doctor Degree Foundation of Ministry of Education of China (Grant No. 20105201110003), the Governor' Foundation for Science and Education Elites of Guizhou Province, China (Grant No. (2009)114), the Science-Technology Foundation of Guizhou Province of China (Grant No. (2011)2095), the Foundation for Oversea Elites of Guizhou Province of China (Grant No. Z103233) and the Foundation for Doctoral students of Guizhou University of Finance and Economics of China (Grant No. 2010)
    [1]

    den Nijs M 1990 Phys. Rev. Lett. 64 435

    [2]

    den Nijs M, Rommelse K 1987 Phys. Rev. B 40 4709

    [3]

    Ding Z, Bullock D W, Thibado P M, LaBella V P, Mullen K 2003 Surf. Sci. 540 491

    [4]

    Madelung O 1991 Semiconducting Group IV Elements and V/III Compound (Berlin: Spinger-Verlag) p60

    [5]

    Niu Z C, Zhou Z Q, Lin Y W, Li X F 1997 Acta Phys. Sin. 46 969 (in Chinese) [牛智川, 周增圻, 林耀望, 李新峰 1997 物理学报 46 969]

    [6]

    Zhou H Z, Cheng M T, Xue Q K 2005 Acta Phys. Sin. 54 4141 (in Chinese) [周慧君, 程木田, 薛其坤 2005 物理学报 54 4141]

    [7]

    Wang B R, Sun Z, Xu Z Y, Sun B Q, Ji Y 2008 Acta Phys. Sin. 57 1908 (in Chinese) [王宝瑞, 孙征, 徐仲英, 孙宝权, 姬扬 2008 物理学报 57 1908]

    [8]

    Sears L E 2009 Ph. D. Dissertation (Michigan: Michigan University, USA)

    [9]

    Zhou X, Yang Z R, Luo Z J, He Y Q, He H, Ding Z 2011 Acta Phys. Sin. 60 016109 (in Chinese) [周勋, 杨再荣, 罗子江, 贺业全, 何浩, 丁召 2011 物理学报 60 016109]

    [10]

    Luo Z J, Zhou X, Yang Z R, He Y Q, He H, Ding Z 2010 J. Funct. Mater. 41 704 (in Chinese) [罗子江, 周勋, 杨再荣, 贺业全, 何浩, 丁召 2010 功能材料 41 704]

    [11]

    Luo Z J, Zhou X, Yang Z R, He Y Q, He H, Ding Z 2011 J. Funct. Mater. 42 816 (in Chinese) [罗子江, 周勋, 杨再荣, 贺业全, 何浩, 丁召 2011 功能材料 42 816]

    [12]

    Zhang B C, Zhou X, Luo Z J, Ding Z 2012 Chin. Phys. B 21 048101

    [13]

    Priester C, Lannoo M 1995 Phys. Rev. Lett. 75 93

    [14]

    Slanina F, Krug J, Kotrla M 2005 Phys. Rev. E 71 041605

    [15]

    Sato M 2011 Phys. Rev. E 84 061604

    [16]

    Riposan A, Martin G K M, Millunchik J M 2003 Appl. Phys. Lett. 83 4518

    [17]

    Pamplin B R 1975 Crystal Growth (Oxford: Pergamum Press) p22

    [18]

    Zhou X, Luo Z J, Ding Z 2012 Chin. Phys. B 21 046103

    [19]

    Ding Z, Bullock D W, Oliver W F, Thibado P M, LaBella V P 2003 J. Crystal Growth 251 35

    [20]

    LaBella V P, Bullock D W, Anser M, Ding Z, Thibado P M 2000 Phys. Rev. Lett. 84 4152

  • [1]

    den Nijs M 1990 Phys. Rev. Lett. 64 435

    [2]

    den Nijs M, Rommelse K 1987 Phys. Rev. B 40 4709

    [3]

    Ding Z, Bullock D W, Thibado P M, LaBella V P, Mullen K 2003 Surf. Sci. 540 491

    [4]

    Madelung O 1991 Semiconducting Group IV Elements and V/III Compound (Berlin: Spinger-Verlag) p60

    [5]

    Niu Z C, Zhou Z Q, Lin Y W, Li X F 1997 Acta Phys. Sin. 46 969 (in Chinese) [牛智川, 周增圻, 林耀望, 李新峰 1997 物理学报 46 969]

    [6]

    Zhou H Z, Cheng M T, Xue Q K 2005 Acta Phys. Sin. 54 4141 (in Chinese) [周慧君, 程木田, 薛其坤 2005 物理学报 54 4141]

    [7]

    Wang B R, Sun Z, Xu Z Y, Sun B Q, Ji Y 2008 Acta Phys. Sin. 57 1908 (in Chinese) [王宝瑞, 孙征, 徐仲英, 孙宝权, 姬扬 2008 物理学报 57 1908]

    [8]

    Sears L E 2009 Ph. D. Dissertation (Michigan: Michigan University, USA)

    [9]

    Zhou X, Yang Z R, Luo Z J, He Y Q, He H, Ding Z 2011 Acta Phys. Sin. 60 016109 (in Chinese) [周勋, 杨再荣, 罗子江, 贺业全, 何浩, 丁召 2011 物理学报 60 016109]

    [10]

    Luo Z J, Zhou X, Yang Z R, He Y Q, He H, Ding Z 2010 J. Funct. Mater. 41 704 (in Chinese) [罗子江, 周勋, 杨再荣, 贺业全, 何浩, 丁召 2010 功能材料 41 704]

    [11]

    Luo Z J, Zhou X, Yang Z R, He Y Q, He H, Ding Z 2011 J. Funct. Mater. 42 816 (in Chinese) [罗子江, 周勋, 杨再荣, 贺业全, 何浩, 丁召 2011 功能材料 42 816]

    [12]

    Zhang B C, Zhou X, Luo Z J, Ding Z 2012 Chin. Phys. B 21 048101

    [13]

    Priester C, Lannoo M 1995 Phys. Rev. Lett. 75 93

    [14]

    Slanina F, Krug J, Kotrla M 2005 Phys. Rev. E 71 041605

    [15]

    Sato M 2011 Phys. Rev. E 84 061604

    [16]

    Riposan A, Martin G K M, Millunchik J M 2003 Appl. Phys. Lett. 83 4518

    [17]

    Pamplin B R 1975 Crystal Growth (Oxford: Pergamum Press) p22

    [18]

    Zhou X, Luo Z J, Ding Z 2012 Chin. Phys. B 21 046103

    [19]

    Ding Z, Bullock D W, Oliver W F, Thibado P M, LaBella V P 2003 J. Crystal Growth 251 35

    [20]

    LaBella V P, Bullock D W, Anser M, Ding Z, Thibado P M 2000 Phys. Rev. Lett. 84 4152

  • [1] 梁建, 王华光, 张泽新. 粗糙和光滑椭球胶体的受限扩散. 物理学报, 2024, 73(14): 148202. doi: 10.7498/aps.73.20240559
    [2] 杨亮亮, 秦源浩, 魏江涛, 宋培帅, 张明亮, 杨富华, 王晓东. 硒化亚铜薄膜热电性能研究进展. 物理学报, 2021, 70(7): 076802. doi: 10.7498/aps.70.20201677
    [3] 吴彤, 霍文麒, 黄蕴智, 王吉明, 顾晓蓉, 路元刚, 赫崇君, 刘友文. 用于内窥光学相干层析成像的小型化预标定Lissajous扫描光纤探头. 物理学报, 2021, 70(15): 150701. doi: 10.7498/aps.70.20210151
    [4] 梅涛, 陈占秀, 杨历, 王坤, 苗瑞灿. 纳米通道粗糙内壁对流体流动行为的影响. 物理学报, 2019, 68(9): 094701. doi: 10.7498/aps.68.20181956
    [5] 蒋钊, 陈学康. 界面合金化控制柔性Al/PI薄膜应力的研究. 物理学报, 2015, 64(21): 216802. doi: 10.7498/aps.64.216802
    [6] 刘伟, 郭立新, 孟肖, 郑帆. 沙丘粗糙面的二次极化电磁散射. 物理学报, 2013, 62(14): 144213. doi: 10.7498/aps.62.144213
    [7] 张宇, 张晓娟, 方广有. 大尺度分层介质粗糙面电磁散射的特性研究. 物理学报, 2012, 61(18): 184203. doi: 10.7498/aps.61.184203
    [8] 梁玉, 郭立新, 王蕊. 粗糙面重构问题的混合算法研究. 物理学报, 2011, 60(3): 034102. doi: 10.7498/aps.60.034102
    [9] 郑浩勇, 王猛, 王修星, 黄卫东. 基于Wenzel模型的粗糙界面异质形核分析. 物理学报, 2011, 60(6): 066402. doi: 10.7498/aps.60.066402
    [10] 李世彬, 吴志明, 李 伟, 于军胜, 蒋亚东, 廖乃镘. 氢化硅薄膜的晶化机理研究. 物理学报, 2008, 57(11): 7114-7118. doi: 10.7498/aps.57.7114
    [11] 郝鹏飞, 姚朝晖, 何 枫. 粗糙微管道内液体流动特性的实验研究. 物理学报, 2007, 56(8): 4728-4732. doi: 10.7498/aps.56.4728
    [12] 杨吉军, 徐可为. 多晶薄膜表面粗化与生长方式转变. 物理学报, 2007, 56(2): 1110-1115. doi: 10.7498/aps.56.1110
    [13] 周炳卿, 刘丰珍, 朱美芳, 周玉琴, 吴忠华, 陈 兴. 微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究. 物理学报, 2007, 56(4): 2422-2427. doi: 10.7498/aps.56.2422
    [14] 侯海虹, 孙喜莲, 申雁鸣, 邵建达, 范正修, 易 葵. 电子束蒸发氧化锆薄膜的粗糙度和光散射特性. 物理学报, 2006, 55(6): 3124-3127. doi: 10.7498/aps.55.3124
    [15] 肖兴成, 江伟辉, 田静芬, 宋力昕, 胡行方. 高温处理对CNx薄膜晶化的影响. 物理学报, 2000, 49(1): 173-176. doi: 10.7498/aps.49.173
    [16] 郑瑞伦, 冉扬强, 陈 洪, 平荣刚. Mo2C膜表面快速粗糙化现象研究. 物理学报, 2000, 49(7): 1335-1343. doi: 10.7498/aps.49.1335
    [17] 张庶元, 陈志文, 谭舜, 朱警生, 李凡庆, 吴自勤. Pd,Ge薄膜体系中的分形晶化行为. 物理学报, 1996, 45(1): 94-100. doi: 10.7498/aps.45.94
    [18] 欧阳吉庭, 麦振洪, 崔树范. 薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响. 物理学报, 1992, 41(2): 306-310. doi: 10.7498/aps.41.306
    [19] 金亚秋. 随机粗糙面上后向散射的增强. 物理学报, 1989, 38(10): 1611-1620. doi: 10.7498/aps.38.1611
    [20] 黄炳忠, 余玉贞, 洪国光. Si-SiO2界面的粗糙度. 物理学报, 1987, 36(7): 829-837. doi: 10.7498/aps.36.829
计量
  • 文章访问数:  6293
  • PDF下载量:  582
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-18
  • 修回日期:  2012-08-28
  • 刊出日期:  2013-02-05

/

返回文章
返回