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氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

赖云锋 冯 洁 乔保卫 凌 云 林殷茵 汤庭鳌 蔡炳初 陈邦明

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氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

赖云锋, 冯 洁, 乔保卫, 凌 云, 林殷茵, 汤庭鳌, 蔡炳初, 陈邦明

Multiple-state storage capability of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 film for phase change memory

Lai Yun-Feng, Feng Jie, Qiao Bao-Wei, Ling Yun, Lin Yin-Yin, Tang Ting-Ao, Cai Bing-Chu, Chen Bang-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-06
  • 修回日期:  2006-03-28
  • 刊出日期:  2006-04-05

氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

  • 1. (1)Silicon Storage Technology,Inc.,Sunnyvale 94086,USA; (2)复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室,上海 200433; (3)上海交通大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海 200030

摘要: 通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(N-GST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5 (GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用N-GST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.

English Abstract

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