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3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究

张云 邵晓红 王治强

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3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究

张云, 邵晓红, 王治强

A first principle study on p-type doped 3C-SiC

Zhang Yun, Shao Xiao-Hong, Wang Zhi-Qiang
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-20
  • 修回日期:  2009-12-17
  • 刊出日期:  2010-04-05

3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究

  • 1. (1)北京化工大学理学院,北京 100029; (2)中国科学院光电研究院,北京 100190
    基金项目: 国家自然科学基金重点项目(批准号:No.20736002)资助的课题.

摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ga在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.

English Abstract

参考文献 (19)

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