搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究

林圳旭 林泽文 张毅 宋超 郭艳青 王祥 黄新堂 黄锐

引用本文:
Citation:

基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究

林圳旭, 林泽文, 张毅, 宋超, 郭艳青, 王祥, 黄新堂, 黄锐

Electroluminescence from Si nanostructure-based silicon nitride light-emitting devices

Lin Zhen-Xu, Lin Ze-Wen, Zhang Yi, Song Chao, Guo Yan-Qing, Wang Xiang, Huang Xin-Tang, Huang Rui
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3539
  • PDF下载量:  470
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-10-13
  • 修回日期:  2013-10-27
  • 刊出日期:  2014-02-05

基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究

  • 1. 华中师范大学纳米科技研究院, 武汉 430079;
  • 2. 韩山师范学院物理与电子工程系, 潮州 521041
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61274140,61306003)资助的课题.

摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光. 在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.

English Abstract

参考文献 (16)

目录

    /

    返回文章
    返回