磷在SiO<sub>2</sub>-Si系统中的扩散

李克诚; 薛士蓥; 祝忠德; 黄詠

doi:10.7498/aps.21.707

摘要

用中子激活方法,对气态P2O5在SiO2-Si系统中的扩散分布进行了直接测量。样品为p型Si单晶,电阻率为3—5欧姆·厘米,氧化层是在1250℃下水汽中生长的,其厚度为0.45—0.47微米。实验结果表明:对于完全掩蔽的样品,磷在SiO2层中的浓度分布有个陡峭的边界;对于掩蔽失效情形,在靠近SiO2-Si交界面约0.1微米的SiO2层内,磷的浓度显著地降低,出现一个明显的交界层,在交界层以外的SiO2层中磷的浓度是均匀的和恒定的,而交界层中磷的浓度及磷在Si中的表面浓度都随时间的延长而显著地升高,文中对所得的结果作了简单讨论。
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