| [1] |
王延峰, 张晓丹, 黄茜, 刘阳, 魏长春, 赵颖. 室温制备低电阻率高透过率H, W共掺杂ZnO薄膜. 物理学报,
2013, 62(1): 017803.
doi: 10.7498/aps.62.017803
|
| [2] |
王宁, 董刚, 杨银堂, 陈斌, 王凤娟, 张岩. 考虑晶粒尺寸效应的超薄(1050 nm) Cu电阻率模型研究. 物理学报,
2012, 61(1): 016802.
doi: 10.7498/aps.61.016802
|
| [3] |
李春, 杨帆, Georgios Lefkidis, Wolfgang Hübner. 磁性纳米结构中由激光引起的超快自旋动力学研究. 物理学报,
2011, 60(1): 017802.
doi: 10.7498/aps.60.017802
|
| [4] |
杨春, 冯玉芳, 余毅. 动力学研究AlN/α-Al2Ｏ3（0001）薄膜生长初期的吸附与扩散. 物理学报,
2009, 58(5): 3553-3559.
doi: 10.7498/aps.58.3553
|
| [5] |
罗宇峰, 钟 澄, 张 莉, 严学俭, 李 劲, 蒋益明. 方块电阻法原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律. 物理学报,
2007, 56(11): 6722-6726.
doi: 10.7498/aps.56.6722
|
| [6] |
翟秋亚, 杨 扬, 徐锦锋, 郭学锋. 快速凝固Cu-Sn亚包晶合金的电阻率及力学性能. 物理学报,
2007, 56(10): 6118-6123.
doi: 10.7498/aps.56.6118
|
| [7] |
晋芳伟, 任忠鸣, 任维丽, 邓 康, 钟云波. 强梯度磁场下金属熔体中析出相晶粒迁移的动力学研究. 物理学报,
2007, 56(7): 3851-3860.
doi: 10.7498/aps.56.3851
|
| [8] |
周耐根, 周 浪. 外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究. 物理学报,
2005, 54(7): 3278-3283.
doi: 10.7498/aps.54.3278
|
| [9] |
汪 渊, 徐可为. Cu-W薄膜表面形貌的分形表征与电阻率. 物理学报,
2004, 53(3): 900-904.
doi: 10.7498/aps.53.900
|
| [10] |
王印月, 甄聪棉, 龚恒翔, 阎志军, 王亚凡, 刘雪芹, 杨映虎, 何山虎. 传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率. 物理学报,
2000, 49(7): 1348-1351.
doi: 10.7498/aps.49.1348
|
| [11] |
王晓平, 赵特秀, 季航, 梁齐, 叶坚, 刘磁辉, 王顺喜. MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究. 物理学报,
1995, 44(2): 305-311.
doi: 10.7498/aps.44.305
|
| [12] |
王晓平, 赵特秀, 刘宏图, 施一生, 翁惠民, 郭学哲. 多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究. 物理学报,
1994, 43(5): 823-828.
doi: 10.7498/aps.43.823
|
| [13] |
王晓平, 赵特秀, 季航, 梁齐, 董翊. 晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响. 物理学报,
1994, 43(2): 297-302.
doi: 10.7498/aps.43.297
|
| [14] |
季航, 赵特秀, 王晓平, 董翊. 磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究. 物理学报,
1993, 42(8): 1340-1345.
doi: 10.7498/aps.42.1340
|
| [15] |
施一生, 赵特秀, 刘洪图, 王晓平. 射频溅射Pd薄膜的电阻率研究. 物理学报,
1990, 39(11): 1803-1810.
doi: 10.7498/aps.39.1803
|
| [16] |
陈存礼. 测量半导体材料电阻率的四探针公式的普遍形式. 物理学报,
1985, 34(11): 1509-1515.
doi: 10.7498/aps.34.1509
|
| [17] |
雷啸霖. 无序晶态合金的电阻率. 物理学报,
1980, 29(11): 1385-1394.
doi: 10.7498/aps.29.1385
|
| [18] |
雷啸霖. 替代式合金系统的电阻率. 物理学报,
1980, 29(11): 1395-1404.
doi: 10.7498/aps.29.1395
|
| [19] |
冯锡淇, 骆宾章, 唐福娣, 张雁行, 洪福根, 谭浩然. 用范德保法测量碳化硅的电阻率和霍耳效应. 物理学报,
1966, 22(9): 967-975.
doi: 10.7498/aps.22.967
|
| [20] |
宿昌厚. 用四探针法测量矩形半导体电阻率时的修正函数. 物理学报,
1963, 19(6): 370-383.
doi: 10.7498/aps.19.370
|
下载:
