搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究

丁迎春 徐 明 潘洪哲 沈益斌 祝文军 贺红亮

引用本文:
Citation:

γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究

丁迎春, 徐 明, 潘洪哲, 沈益斌, 祝文军, 贺红亮

Electronic structure and physical properties of γ-Si3N4 under high pressure

Ding Ying-Chun, Xu Ming, Pan Hong-Zhe, Shen Yi-Bin, Zhu Wen-Jun, He Hong-Liang
PDF
导出引用
  • 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.
    The pressure-dependent electronic structure and physical properties of γ- Si3N4 have been calculated by means of plane wave pseudo-potential method (PWP) using GGA-PW91. Based on the calculations, we analyzed the influence of pressure on the optical and mechanical properties γ-Si3N4, which indicates that γ-Si3N4 is quite suitable for applications under high pressure.
    • 基金项目: 四川省教育厅重点基金(批准号:2005A092)和四川师范大学重点研究经费(批准号:037003)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  8308
  • PDF下载量:  1630
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-14
  • 修回日期:  2006-05-17
  • 刊出日期:  2007-01-08

/

返回文章
返回