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分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试

延凤平 郑 凯 王 琳 李一凡 龚桃荣 简水生 尾形健一 小池一步 佐佐诚彦 井上正崇 矢野满明

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分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试

延凤平, 郑 凯, 王 琳, 李一凡, 龚桃荣, 简水生, 尾形健一, 小池一步, 佐佐诚彦, 井上正崇, 矢野满明

Measurement of thickness and refractive index of Zn1-xMgxO film grown on sapphire substrate by molecular beam epitaxy

Yan Feng-Ping, Zheng Kai, Wang Lin, Li Yi-Fan, Gong Tao-Rong, Jian Shui-Sheng, K. Ogata, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, M. Yano
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  • 利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO 薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试. 结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量,经数值拟合,导出表征薄膜厚度与薄膜生长条件、薄膜折射率与薄膜中的Mg组成量之间关系的曲线,为MBE法在Sapphire衬底上生长Zn1-xMgxO 薄膜时控制薄膜厚度以及在制作Zn1-xMgxO 薄膜的波导时控制薄膜的折射率提供了理论依据.
    The thickness and refractive index of Zn1-xMgxO film grown on A-sapphire substrate by molecular beam epitaxy were measured by ellipsometry. Combined with Mg content measured by inductively coupled plasma (ICP), the curves showing the relationships of thickness with film growth condition and the refractive index with the Mg content in the film were deduced by numerical analysis, which may serve as a theoretical basis for controlling the thickness and the refractive index in Zn1-xMgxO film growth process.
    • 基金项目: 国家自然科学基金重点项目(批准号:60337010)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-27
  • 修回日期:  2006-11-21
  • 刊出日期:  2007-07-20

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