Processing math: 10%

搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Y3Fe5O12(YIG)/Pt异质结构中基于超快自旋塞贝克效应产生太赫兹相干辐射研究

宋邦菊 金钻明 郭晨阳 阮舜逸 李炬赓 万蔡华 韩秀峰 马国宏 姚建铨

徐山森, 常健, 翟斌, 朱先念, 魏炳波. 液态五元Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的微观结构演变与非晶形成机制. 物理学报, 2023, 72(22): 226401. doi: 10.7498/aps.72.20231169
引用本文: 徐山森, 常健, 翟斌, 朱先念, 魏炳波. 液态五元Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的微观结构演变与非晶形成机制. 物理学报, 2023, 72(22): 226401. doi: 10.7498/aps.72.20231169
Xu Shan-Sen, Chang Jian, Zhai Bin, Zhu Xian-Nian, Wei Bing-Bo. Microscopic structure evolution and amorphous solidification mechanism of liquid quinary Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy. Acta Phys. Sin., 2023, 72(22): 226401. doi: 10.7498/aps.72.20231169
Citation: Xu Shan-Sen, Chang Jian, Zhai Bin, Zhu Xian-Nian, Wei Bing-Bo. Microscopic structure evolution and amorphous solidification mechanism of liquid quinary Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy. Acta Phys. Sin., 2023, 72(22): 226401. doi: 10.7498/aps.72.20231169

Y3Fe5O12(YIG)/Pt异质结构中基于超快自旋塞贝克效应产生太赫兹相干辐射研究

宋邦菊, 金钻明, 郭晨阳, 阮舜逸, 李炬赓, 万蔡华, 韩秀峰, 马国宏, 姚建铨

Terahertz emission from Y3Fe5O12(YIG)/Pt heterostructures via ultrafast spin Seebeck effect

Song Bang-Ju, Jin Zuan-Ming, Guo Chen-Yang, Ruan Shun-Yi, Li Ju-Geng, Wan Cai-Hua, Han Xiu-Feng, Ma Guo-Hong, Yao Jian-Quan
Article Text (iFLYTEK Translation)
PDF
HTML
导出引用
  • 铁磁/非磁异质结构中的超快自旋流-电荷流转换实现相干太赫兹辐射得到了广泛研究. 热自旋电子学结合了热输运与磁输运, 可以有效地产生和探测自旋的非平衡输运. 本文利用飞秒激光脉冲激发铁磁绝缘体钇铁石榴石(Y3Fe5O12, YIG)/Pt异质结构, 通过超快自旋塞贝克效应(SSE)产生太赫兹(THz)相干辐射. 实验中, THz脉冲的相位随外加磁场和激光入射样品顺序的反转而反转, 表明THz辐射与界面温度梯度的方向密切相关. 为了考察界面对THz辐射性能的影响, 系统地研究了YIG/Pt异质结构不同退火处理后的THz辐射情况. 实验发现, 生长在Gd3Ga5O12 (GGG)衬底上的YIG/Pt经退火处理后再原生一层Pt膜, 其THz辐射强度提高了一个数量级. 归因于退火后增强了YIG/Pt界面的自旋混合电导率. 此外, 还研究了生长在高阻Si衬底上退火后优化结构的能量密度与THz辐射强度的关系, 拟合得到饱和能量密度约为1.4 mJ/cm2. 实验结果表明, YIG/Pt异质结构的界面调控能够优化THz辐射特性, 为基于超快SSE自旋电子学太赫兹发射器开辟了新的途径.
    Recently, ferromagnetic/non-magnetic heterostructures have been widely studied for the generation of terahertz (THz) emitter based on spin-to-charge conversion. Actually, thermal spintronics effectively combines thermal transport with magnetism for creating and detecting non-equilibrium spin transport. A spin current or voltage can be induced by a temperature bias applied to a ferromagnetic material, which is called spin Seebeck effect (SSE). In this paper, we present a SSE based THz emission by using the heterostructures made of insulating ferrimagnet yttrium iron garnet (Y3Fe5O12, YIG) and platinum (Pt) with large spin orbit coupling. Upon exciting the Pt layer with a femtosecond laser pulse, a spin Seebeck current arises, applying a temperature gradient to the interface. Based on the inverse spin Hall effect, the spin Seebeck current is converted into a transient charge current and then yields the THz transients, which are detected by electrooptic sampling through using a ZnTe crystal at room temperature. The polarity of the THz pulses is flipped by 180° when the direction of the external magnetic field is reversed. By changing the direction of the pump beam excitation geometry to vary the sign of the temperature gradient at the YIG/Pt interface, the polarity of the THz signal is reversed. Fast Fourier transformation of the THz signals yields the amplitude spectra centered near 0.6 THz with a bandwidth in a range of 0.1–2.5 THz. We systematically investigate the influence of annealing effect on the THz emission from different YIG/Pt heterostructures. It can be found that the THz radiation is achieved to increase ten times in the YIG/Pt grown on a Gd3Ga5O12 (GGG) substrate through high-temperature annealing. The mechanism of annealing effect can be the increase of the spin mixing conductance of the interface between YIG and Pt. Finally, we investigate the pump fluence dependent THz peak-to-peak values for the annealed YIG/Pt grown on the Si substrate. Due to the spin accumulation effect at the interface of the YIG/Pt heterostructure, the THz radiation intensity gradually becomes saturated with the increase of pump fluence. Our results conclude that annealing optimization is of importance for increasing the THz amplitude, and open a new avenue to the future applications of spintronic THz emitters based on ultrafast SSE.
      PACS:
      84.71.Ba(Superconducting magnets; magnetic levitation devices)
      74.78.Fk(Multilayers, superlattices, heterostructures)
      通信作者: 金钻明, physics_jzm@usst.edu.cn ; 万蔡华, wancaihua@iphy.ac.cn ; 马国宏, ghma@staff.shu.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61975110, 11674213, 61735010, 11604202)、上海市青年科技启明星计划(批准号: 18QA1401700)、上海市教育委员会和上海市教育发展基金会“晨光计划”(批准号: 16CG45)和上海高校青年东方学者计划(批准号: QD2015020)资助的课题
      Corresponding author: Jin Zuan-Ming, physics_jzm@usst.edu.cn ; Wan Cai-Hua, wancaihua@iphy.ac.cn ; Ma Guo-Hong, ghma@staff.shu.edu.cn
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61975110, 11674213, 61735010, 11604202), the Shanghai Rising-Star Program of Science and Technology Commission of Shanghai Municipality, China (Grant No. 18QA1401700), the Chen Guang Project of Shanghai Educational Development Foundation, China (Grant No. 16CG45), and the Young Eastern Scholar Project ofShanghai Municipal Education Commission, China (Grant No. QD2015020)

    相比以晶体形核生长为特征的经典凝固, 非晶凝固的本质在于对过冷液态合金形核行为的抑制[1,2]. 为了达到抑制形核的目的, 非晶合金的成分调控和制备方法被不断的优化, 即在提供超高冷却速率的同时, 丰富非晶合金的组元[35]. 采用急冷快速凝固和高熵多组元的方法, 可以极为有效地提高合金的非晶形成能力, 将非晶合金的最大临界尺寸提高至近0.1 m[6,7]. 然而, 急冷条件下液态合金的凝固过程极为短暂, 很难通过实验手段对非晶的形成过程和凝固参数进行实时观测和动态采集[8,9]. 此外, 强非晶形成能力合金往往具有配方复杂、成分多元的特点, 不易对其凝固特征参数进行有针对性地精准模拟和计算. 因此, 对于非晶形成热力学、动力学和结构演变机制的数值模拟研究只多见于简单合金体系[1013]. 尽管如此, 计算的对象依然受到势函数体系严格的限制, 这极大地阻碍了人们对大块非晶合金本征特性的探索.

    电磁悬浮无容器技术可以极大地削弱器壁引起的异质形核效应, 在低冷速条件下使液态合金达到深过冷态. 这不仅有利于非晶相的形成, 也为准确测定液态合金降温过程中的热物理信息提供了便利[1416]. 而随着深度神经网络算法(deep neural network, DNN)在机器学习(machine learning, ML)领域取得了突破性的应用, 也使多元合金的凝固动力学模拟成为可能[17,18]. 通过第一性原理计算、深度神经网络学习和分子动力学模拟的闭环迭代, 可以有效地获得复杂合金体系的高维拟合函数, 进而得到准确的分子动力学模拟结果[19,20].

    在之前的工作中, 分别对Ti, Ni和Zr基等体系非晶合金进行深过冷快速凝固研究, 观察到非晶相在合金内部优先出现等特殊现象[21,22]. 在此基础上, 本文采用电磁悬浮无容器技术, 对非晶形成能力更强的五元Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金进行了深过冷快速凝固实验[23], 并借助高分辨率透射电子显微镜(TEM)和分子动力学(MD)等分析和研究手段, 进一步揭示合金的非晶形成机制.

    五元Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金由纯度为99.99%的高纯金属Zr, Cu, Al, Ni和Ti在超高真空电弧炉内熔配而成. 使用铜模吸铸装置, 将合金制成φ 5 mm合金棒材, 用金刚石切割机加工成约0.6 g的圆柱形合金样品.

    采用电磁悬浮装置在悬浮无容器状态下熔化合金样品, 并实现深过冷快速凝固. 实验前, 先将合金样品置于真空腔体内的悬浮线圈中, 抽真空至10–5 Pa, 然后反充He+Ar混合气体至105 Pa. 随后, 通过高频感应线圈悬浮和加热非晶样品, 使之熔化并达到约200 K的过热度, 并保持过热温度约20 s, 旋即吹He气流冷却悬浮态合金熔体. 实验过程中用Sensortherm GMBH M3红外温度计实时测定并记录熔体温度. 实验结束后, 采用标准金相技术制备合金金相试样, 用3 HF∶1 HNO3∶6 H2O溶液对试样进行蚀刻, 用D8 DISCOVER A25 X射线衍射仪(XRD)分析合金的相组成, 用Netzsch DSC 404 C差示扫描量热仪进行热分析(样品质量约30 mg, 扫描速度为10 K/min), 采用Themis Z双球差校正透射电子显微镜(SEM)分析合金的精细结构. SEM分析前, 先用Helios G4 CX聚焦离子/电子双束电子显微镜(FIB)对合金样品进行聚焦离子束切割, 使样品厚度达到约100 nm.

    Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的模拟系统采用5400个原子, 计算步长为1 fs, 初始温度为2500 K, 运行105步长后开始降温, 每降低100 K温度保持100 ps, 冷却速率为1×1012 K/s. 系统总能量可以表示为[24]

    E=i[Fi(ˉρi)+12j(i)Sijϕij(Rij)], (1)

    其中Fi是原子i的嵌入能, Sij是原子ij之间的筛选函数, ϕij(Rij)函数用来描述距离为Ri, j原子间的相互作用. 双体分布函数方程为

    g(r)=Vni(r,r+Δr)/ni(r,r+Δr)(4πr2ΔrN)(4πr2ΔrN), (2)

    其中, V为系统体积, N为系统原子数量, ni(r, r + Δr)为距离i原子rrr范围内的总原子数, 是平均符号. 根据双体分布函数, 可以求解Einstein方程得到合金的自扩散系数DL[25]:

    DL=16lim (3)

    其中 \left\langle {{R^2}\left( t \right)} \right\rangle 为原子的均方位移, t为时间. 进而, 液态合金的黏度ηL也可以根据Stokes-Einstein方程计算获得:

    {\eta _{\text{L}}} = {{{k_{\text{B}}}T} \mathord{\left/ {\vphantom {{{k_{\text{B}}}T} {(2{\text{π}}d{D_{\text{L}}}}}} \right. } {(2{\text{π}}d{D_{\text{L}}}}}), (4)

    其中, kB为Boltzmann常数, d为原子扩散的有效直径. 此外, 非晶的自由体积Vf可以根据非晶系统体积与晶体系统体积的差值获得, 液态合金的密度ρL也可以通过计算系统原子质量与体积的比值得到.

    利用电磁悬浮无容器处理技术, 实现了液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金在低冷速条件下的深过冷快速凝固. 该合金具有优异的非晶形成能力, 在无容器环境下表现出很强的过冷倾向, 实验获得的过冷度范围高达200—300 K. 图1(a)(c)分别为200, 250和300 K过冷度下合金的快速凝固组织. 可以看出, 合金的凝固组织分为内外两层, 是典型的壳-核结构, 界面清晰可辨. 对250 K过冷度合金样品的壳-核界面进行TEM分析, 可知界面内侧为非晶, 外侧为Zr8Cu5晶体相, 如图1(d)所示. 同时, 合金B, C区域的XRD结果显示, 合金的外壳主要由ZrCu, Zr2Cu和Zr8Cu5相组成, 而核心非晶相中存在少量的Zr8Cu5结构, 如图2(a)所示.

    图 1 电磁悬浮条件下液态五元Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的深过冷与快速凝固 (a) ΔT = 200 K; (b) ΔT = 250 K; (c) ΔT = 300 K; (d) 核-壳界面形貌\r\nFig. 1. High undercooling and rapid solidification of liqud quinary Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy under electromagnetic levitation condition: (a) ΔT = 200 K; (b) ΔT = 250 K; (c) ΔT = 300 K; (d) core-shell interface morphology.
    图 1  电磁悬浮条件下液态五元Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的深过冷与快速凝固 (a) ΔT = 200 K; (b) ΔT = 250 K; (c) ΔT = 300 K; (d) 核-壳界面形貌
    Fig. 1.  High undercooling and rapid solidification of liqud quinary Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy under electromagnetic levitation condition: (a) ΔT = 200 K; (b) ΔT = 250 K; (c) ΔT = 300 K; (d) core-shell interface morphology.
    图 2 合金的相组成与非晶核的形成 (a) XRD曲线; (b) 非晶核体积分数\r\nFig. 2. Alloy phase constitution and amorphous core formation: (a) XRD curves; (b) volume fraction of amorphous core.
    图 2  合金的相组成与非晶核的形成 (a) XRD曲线; (b) 非晶核体积分数
    Fig. 2.  Alloy phase constitution and amorphous core formation: (a) XRD curves; (b) volume fraction of amorphous core.

    从不同过冷度合金样品的凝固形态可以看出, 当过冷度为200 K时, 非晶核的直径为1.81 mm, 晶体壳的厚度为1.35 mm. 随着过冷度的增大, 非晶核逐渐长大, 其体积分数随过冷度的增加呈线性增大, 如图2(b)所示, 且fa与ΔT之间满足:

    {f_{\text{a}}} = 0.6\Delta T - 106.2. (5)

    当过冷度增大至250 K时, 非晶核的直径增大至3.78 mm. 而当过冷度进一步增至300 K时, 非晶核的直径已高达4.22 mm, 而晶体壳的厚度仅余约230 μm. 对faT曲线进行外延处理, 可以推测出形成非晶核所需的最小凝固过冷度约为172 K, 而实现完全非晶凝固的非晶形成临界过冷度ΔTC约为334 K.

    图3(a)为悬浮态合金样品的冷却曲线. 可知, 随着过冷度的增大, 合金中晶体相的生长受到抑制, 凝固潜热的释放逐渐减少, 再辉平台趋于消失. 同时, 液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的凝固进程也十分缓慢, 在200 K过冷度下凝固时间长达14.23 s. 即使过冷度增大至300 K, 合金的凝固过程依然持续了2.65 s. 结合合金凝固组织中外壳的厚度与凝固时间, 可以计算合金外壳的平均生长速度. 在200—300 K过冷度范围内, 合金外壳的平均生长速度v (μm/s)随过冷度ΔT的增大呈线性减小, 其函数关系为

    图 3 深过冷液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金快速凝固特征 (a) 冷却曲线; (b) 合金外壳的平均生长速率\r\nFig. 3. Rapid solidification characteristics of highly undercooled liquid Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy: (a) Cooling curves; (b) alloy shell average growth rate.
    图 3  深过冷液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金快速凝固特征 (a) 冷却曲线; (b) 合金外壳的平均生长速率
    Fig. 3.  Rapid solidification characteristics of highly undercooled liquid Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy: (a) Cooling curves; (b) alloy shell average growth rate.
    v = 144 - 0.17\Delta T . (6)

    图3(b)显示, 当液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金过冷至200 K以上时, 合金外壳的平均生长速度仅约为110 μm/s.

    Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金在核心形成非晶相, 是无容器环境和合金强非晶形成能力共同作用的结果. 电磁悬浮条件下, He气流的强制冷却会增加表层熔体的不稳定性. 因此, 悬浮合金液滴表层的形核概率会远高于内部. 当过冷合金液滴表层发生形核, 晶体组织会沿着液滴半径方向迅速向核心生长. 然而, 对于深过冷液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金, 其晶体相的生长十分缓慢, 且随着过冷度的增大还会进一步的减小. 而内部合金熔体的温度会在强制冷却作用下持续降低, 保持过冷液态并最终达到极高的过冷度. 进而, 当中心液相过冷至非晶形成临界过冷度334 K时, 非晶核便会形成.

    为了更深入剖析Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的深过冷快速凝固机制, 对液态合金结构演化和热物理参数进行了MD数值模拟. 图4(a)为模拟系统总内能E (单位: eV)随温度T的变化, 且E随着T的升高呈线性增大:

    图 4 液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的微观结构特征 (a) 计算系统总能量; (b) 合金原子的扩散系数; (c) $\langle0, 0, 12, 0\rangle $二十面体结构在多面体团簇中的比例\r\nFig. 4. Microstructure characteristics of highly undercooled liquid Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy: (a) Calculated system total energy; (b) calculated atom diffusion coefficient; (c) calculated $\langle0, 0, 12, 0\rangle $ icosahedron ratio in Voronoi polyhedral clusters.
    图 4  液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的微观结构特征 (a) 计算系统总能量; (b) 合金原子的扩散系数; (c) \langle0, 0, 12, 0\rangle 二十面体结构在多面体团簇中的比例
    Fig. 4.  Microstructure characteristics of highly undercooled liquid Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy: (a) Calculated system total energy; (b) calculated atom diffusion coefficient; (c) calculated \langle0, 0, 12, 0\rangle icosahedron ratio in Voronoi polyhedral clusters.
    E=1.9T-3.8\times {10}^{4},~~\left(T > {T}_{\text{C}}\right) , (7)
    E=1.3T-3.7\times {10}^{4},~~\left(T < {T}_{\text{C}}\right). (8)

    可知, 系统总内能的斜率在800—850 K温度内出现突变, 预示非晶转变的发生. 该温度区间与EML实验获得的非晶形成温度范围801—963 K (172 K ≤ ΔT ≤ 334 K)重合, 说明模拟结果与实验数据相一致.

    深过冷条件下, 原子的扩散能力对晶体相的生长和非晶相的形成影响较大. 图4(b)为MD计算所得液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金原子的扩散系数. 可知, 液态合金原子的扩散系数随温度的降低而急剧减小. 当系统温度降低至熔点以下时, 扩散系数的减小趋于平缓. 随着温度的进一步降低, 800 K以下液态合金的原子迁移能力将难以满足形成稳定晶体结构的扩散需求.

    已有的研究结果表明, 非晶的形成往往伴随着Voronoi多面体结构的增多, 其中最为典型的是\langle0, 0, 12, 0\rangle 二十面体及其他类二十面体结构[26,27]. 图4(c)为不同系统温度下\langle0, 0, 12, 0\rangle 二十面体在总多面体结构中所占的比例. 计算结果表明, 随着温度的降低, 液态合金中\langle0, 0, 12, 0\rangle 团簇的含量逐渐增大. 当液态合金进入过冷态时, \langle0, 0, 12, 0\rangle 多面体的数量陡然增加, 预示着合金结构由液态向非晶态的转变.

    在宏观尺度上, 过冷液态合金中原子扩散能力的减弱主要体现为熔体黏度的增大. 图5(a)显示, 液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的黏度随系统温度的降低而增大. 黏度ηL (Pa·s)随温度T的变化可表示为

    图 5 过冷液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的形核能力 (a) 液态合金的黏度; (b)各相的形核率\r\nFig. 5. Nucleation capability of the undercooled liquid Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy: (a) Calculated liquid alloy viscosity; (b) calculated nucleation rates of ZrCu, Zr2Cu and Zr8Cu5 phases.
    图 5  过冷液态Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的形核能力 (a) 液态合金的黏度; (b)各相的形核率
    Fig. 5.  Nucleation capability of the undercooled liquid Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy: (a) Calculated liquid alloy viscosity; (b) calculated nucleation rates of ZrCu, Zr2Cu and Zr8Cu5 phases.
    {\eta _{\text{L}}} = 7.5 \times 10^{-4} \exp \bigg(\dfrac{4.3 \times 10^4}{R_{\text{g}}T} \bigg). (9)

    可以看出, 随着系统温度降低至TL以下, 液态合金的黏度迅速升高, 与图4(c)中多面体结构的剧增相呼应.

    在高黏度环境中, 晶体相的生长会受到抑制. 根据经典形核理论, 合金的形核率可以表达为[28,29]

    I = {I_0} \cdot \exp \left( { - \frac{{\Delta {G^*}}}{{{k_{\text{B}}}T}}} \right) \cdot \exp \left( { - \frac{Q}{{{R_{\text{g}}}T}}} \right). (10)

    这里, I0为形核因子, {k_{\text{B}}} 为Boltzmann常数, Rg为气体常数, Q为扩散激活能, \Delta {G^{\text{*}}} 为非均质形核临界能, \sigma 为界面自由能, \Delta {H_{\text{f}}} 为单位体积的熔化焓, f(θ)为润湿角因子.

    图5(b)为计算不同过冷度ZrCu, Zr2Cu和Zr8Cu5相的形核率. 可以看出, 在低过冷度条件下, ZrCu和Zr2Cu相的形核率均高于Zr8Cu5相. 随着过冷度的不断增大, ZrCu, Zr2Cu和Zr8Cu5相的形核率均趋于减小, 其中以Zr2Cu相尤为明显. 当过冷度增大至200 K以上时, ZrCu和Zr2Cu相的形核率逐渐低于Zr8Cu5相. 而在ΔTC条件下, 液态合金中各相的形核率均已降至1017量级, 这预示着过冷液态合金将难以形核而形成非晶. 结合图1(d)图2(a)可知, 在近非晶形成临界过冷度条件下, ZrCu和Zr2Cu相的生长被完全抑制, 合金凝固组织主要由极细的Zr8Cu5相组成. 随着过冷度达到ΔTC, 过冷液态合金的凝固路径将由Zr8Cu5相结晶生长转变为非晶凝固.

    图6(a)图6(b)分别为图1(d)DE两区域的局部放大, 展示了合金壳-核界面两侧的微观结构特征. 对壳侧的区域进行傅里叶变换处理, 可以得到对应的衍射点阵信息, 如图6(a)所示. 可以看出, 衍射点阵中出现模糊的环状斑点, 证明合金的微观组织中存在非晶结构. 对比发现, 这些非晶相呈网状散布于Zr8Cu5相间.

    图 6 Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的微观结构 (ΔT = 250 K) (a) 图1(d)中D区域放大; (b) 图1(d)中E区域放大\r\nFig. 6. Microstructures of Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy (ΔT = 250 K): (a) D enlarged in Fig. 1(d); (b) E enlarged in Fig. 1(d).
    图 6  Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的微观结构 (ΔT = 250 K) (a) 图1(d)D区域放大; (b) 图1(d)E区域放大
    Fig. 6.  Microstructures of Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy (ΔT = 250 K): (a) D enlarged in Fig. 1(d); (b) E enlarged in Fig. 1(d).

    能谱分析显示, 界面外侧非晶相中Zr, Cu和Al元素的分布均匀, 而Ni和Ti元素发生了偏析, 如图7(a)(c)所示. 可以看出, 非晶相中Ni元素的含量相对较少, 而Ti元素的含量则相对较多. 图7(d)(f)分别为MD模拟的Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的总双体分布函数gtotal(r), Zr-Ni偏双体分布函数gZr-Ni (r)和Zr-Ti偏双体分布函数gZr-Ti (r). 可知, 随着系统温度的降低, Zr-Ni和Zr-Ti偏双体分布函数中出现了明显的肩峰, 且肩峰的强度较总双体分布函数更低. 这表明Ni和Ti元素的偏析都对非晶相的形成产生了影响, 其中Ti元素的作用更为显著.

    图 7 过冷度250 K时Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金壳区的元素分布 (a) 壳区微观组织; (b) Ni元素含量; (c) Ti元素含量; (d) 总双体分布函数; (e) Zr-Ni偏双体分布函数; (f) Zr-Ti偏双体分布函数\r\nFig. 7. Element distribution of Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy shell under 250 K undercooling: (a) Microstructure of alloy shell; (b) Ni content; (c) Ti content; (d) calculated total pair distribution function; (e) calculated Zr-Ni partial bipartite distribution function; (f) calculated Zr-Ti partial bipartite distribution function.
    图 7  过冷度250 K时Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金壳区的元素分布 (a) 壳区微观组织; (b) Ni元素含量; (c) Ti元素含量; (d) 总双体分布函数; (e) Zr-Ni偏双体分布函数; (f) Zr-Ti偏双体分布函数
    Fig. 7.  Element distribution of Zr57Cu20Al10Ni8Ti5 alloy shell under 250 K undercooling: (a) Microstructure of alloy shell; (b) Ni content; (c) Ti content; (d) calculated total pair distribution function; (e) calculated Zr-Ni partial bipartite distribution function; (f) calculated Zr-Ti partial bipartite distribution function.

    Kim等[30,31]研究指出, 在Zr57Cu20Al10Ni8Ti5成分的基础上继续加入Ti原子并不能直接导致合金非晶形成能力的提升, 但可能会引起合金液相的成分过冷. 这可能是源于Ti原子的增多会抑制合金表面的异质形核, 也可能归因于Ti原子在其他元素晶体结构中的镶嵌. 结合以上分析, 可以得知图6(a)中网状分散的非晶相是Zr8Cu5相生长后剩余液相的凝固产物. 在近非晶形成临界过冷度下, Ti原子的富集会促使剩余液相的过冷度进一步升高, 进而形成晶间非晶相.

    图6(a)A区域进行局部放大, 可以观察到非晶与晶体结构之间存在约30 nm的过渡区域, 如图8(a)所示. 在此过渡区域内, 越靠近非晶相, Zr8Cu5相的晶面间距越大. 对非晶-晶体界面做晶面法向矢量, 可以得到晶面间距dC (单位: Å, 1 Å = 10–10 m)随距离L的变化关系:

    图 8 Zr8Cu5相的微观结构演变 (a) 图6(a)中A区域放大; (b) Zr8Cu5相晶格间距随与非晶相距离的变化; (c) Zr8Cu5相的XRD曲线\r\nFig. 8. Microstructure evolution of Zr8Cu5 phase: (a) A enlarged in Fig. 6(a); (b) lattice spacing of Zr8Cu5 structure versus distance from amorphous phase; (c) calculated Zr8Cu5 XRD curves.
    图 8  Zr8Cu5相的微观结构演变 (a) 图6(a)A区域放大; (b) Zr8Cu5相晶格间距随与非晶相距离的变化; (c) Zr8Cu5相的XRD曲线
    Fig. 8.  Microstructure evolution of Zr8Cu5 phase: (a) A enlarged in Fig. 6(a); (b) lattice spacing of Zr8Cu5 structure versus distance from amorphous phase; (c) calculated Zr8Cu5 XRD curves.
    {d_{\text{C}}} = 7.8 - 9.5 \times {10^{ - 4}}L. (11)

    图8(b)显示, 在距离非晶相0—30 nm内, Zr8Cu5相的晶面间距随着其与非晶相距离的减小呈线性递增. 而晶面间距的增大, 代表着Zr8Cu5结构长程有序特征的逐渐丧失.

    图8(c)为MD计算的Zr8Cu5晶体的XRD衍射图, 分别为Zr8Cu5相的标准XRD图谱和固溶了Al, Ni和Ti原子的Zr8Cu5相XRD图谱. 可以看出, 相比于标准图谱, 固溶了Al, Ni和Ti原子的Zr8Cu5相图谱中晶面减少, 衍射峰宽化且向32°—34°衍射角范围集中, 呈现出形成非晶的趋势. 根据Zr8Cu5相的结构模拟结果, 固溶了Al, Ni和Ti原子的Zr8Cu5相的晶格尺寸远大于Zr8Cu5相标准晶格, 其系统总体积甚至高于Zr57Cu20Al10Ni8Ti5非晶.

    图9(a)为模拟系统的体积V随温度的变化, 其中曲线1为固溶了Al, Ni和Ti原子的Zr8Cu5相的体积, 而曲线2为Zr57Cu20Al10Ni8Ti5非晶的体积. 可知, Zr8Cu5结晶生长和非晶凝固的系统总体积在801—1135 K温度范围内基本重合. 随着系统温度降至801 K以下, 固溶了Al, Ni和Ti原子的Zr8Cu5相的体积开始大于Zr57Cu20Al10Ni8Ti5非晶相.

    图 9 非晶凝固对合金平均显微硬度的影响 (a) Zr8Cu5结晶生长与非晶凝固的系统总体积; (b) Zr8Cu5结晶生长与非晶凝固的系统自由体积; (c) 非晶核平均显微硬度\r\nFig. 9. Effect of amorphous solidification on alloy average microhardness: (a) System total volume of Zr8Cu5 crystal growth and amorphous solidification; (b) system free volume of Zr8Cu5 crystal growth and amorphous solidification; (c) average microhardness of alloy amorphous core.
    图 9  非晶凝固对合金平均显微硬度的影响 (a) Zr8Cu5结晶生长与非晶凝固的系统总体积; (b) Zr8Cu5结晶生长与非晶凝固的系统自由体积; (c) 非晶核平均显微硬度
    Fig. 9.  Effect of amorphous solidification on alloy average microhardness: (a) System total volume of Zr8Cu5 crystal growth and amorphous solidification; (b) system free volume of Zr8Cu5 crystal growth and amorphous solidification; (c) average microhardness of alloy amorphous core.

    根据Bondi[32,33]的自由体积理论, 合金在T温度的体积VT可以描述为

    {V_{\text{T}}} = {V_0} + {V_{\text{f}}}. (12)

    由于Zr8Cu5相是Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的晶体-非晶临界结构, (12)式中V0为Zr8Cu5晶体的范德瓦耳斯体积, Vf为合金的总自由体积. 结合图9(a)中的系统总体积, 不难得到Zr8Cu5相结晶生长和Zr57Cu20Al10Ni8Ti5非晶凝固所对应的原子平均自由体积, 如图9(b)所示. 其中, 结晶生长的自由体积Vf-C (单位: Å3)和非晶凝固的自由体积Vf-a (单位: Å3)随系统温度T的变化可分别表示为

    {V_{{\text{f - C}}}} = 0.25 + 3.5 \times {10^{ - 5}}T, (13)
    {V_{{\text{f - a}}}} = 0.24 + 4.8 \times {10^{ - 5}}T. (14)

    已有的研究结果表明, 自由体积会对合金的性能产生影响[34,35]. 通常, 自由体积越大, 合金的硬度越小. 据此可以推知, 固溶了Al, Ni和Ti原子的Zr8Cu5相的硬度应小于Zr57Cu20Al10Ni8Ti5非晶. 根据图6(b)可知, 非晶核中存在少量的Zr8Cu5纳米晶, 这势必也会对非晶核的平均硬度产生影响. 图9(c)为实验测定的不同过冷度下非晶核的平均显微硬度. 随着过冷度的增大, 非晶核的平均硬度HC (单位: HV)线性增大:

    {H_{\text{C}}} = 103 + 1.43\Delta T . (15)

    根据图2(a)图6(b), 非晶核平均硬度的增加表明非晶相中Zr8Cu5纳米团簇的数量会随凝固过冷度的增大而减少. 不同于成分偏析导致的晶间非晶, 非晶间纳米团簇的形成主要归因于液态合金达到非晶形成临界过冷度后的局域热起伏效应. 因此, 随着熔体过冷度的增大, 当合金核心液相达到非晶形成临界过冷度且足够稳定时, 由微观热扰动引起的局域过冷度衰减将减少, 非晶间的Zr8Cu5纳米团簇会趋于消失.

    在电磁悬浮无容器状态下, 实现了液态五元Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的深过冷与快速凝固. 实验获得了200—300 K的过冷度. 并结合分子动力学计算, 对合金中非晶相的形成机制进行研究.

    1) 在深过冷、无容器和强非晶形成能力的共同作用下, 合金的凝固形态呈现出明显的壳-核结构特征. 其中核区为非晶相, 壳区为晶体相. 随着过冷度的增加, 非晶核的体积分数逐渐增大.

    2) Zr57Cu20Al10Ni8Ti5合金的完全非晶形成临界过冷度ΔTC = 334 K. 当过冷度增大并接近ΔTC时, ZrCu和Zr2Cu晶体相的生长被抑制, 合金凝固组织主要由Zr8Cu5晶体相组成. 随着过冷度达到ΔTC, 过冷液相的凝固路径将由结晶生长转变为非晶凝固.

    3) TEM结果显示, Zr8Cu5晶体相的晶面间距随着其与非晶相距离的减小而增大. MD模拟表明, 相比于标准的Zr8Cu5晶体, 固溶了Al, Ni和Ti原子的Zr8Cu5晶体的晶面数量更少, 其XRD衍射图谱更趋近于非晶.

    4) 合金的晶体壳中存在少量的晶间非晶相, 而非晶核中亦有微量的非晶间Zr8Cu5纳米晶团簇. 晶间非晶相的形成源于近临界过冷度下晶体生长诱发的成分过冷, 而非晶间晶体相的出现则主要归因于临界过冷度条件下微观热起伏引起的局域过冷度的降低.

    实验和分析过程曾得到西北工业大学耿德路老师, 张彭超、王庆博士, 以及燕鹏旭、林茂杰和赵炯飞等研究生的帮助. 在此谨致谢忱!

    [1]

    Saitoh E, Ueda M, Miyajima H, Tatara G 2006 Appl. Phys. Lett. 88 182509Google Scholar

    [2]

    Mosendz O, Pearson J E, Fradin F Y, Bauer G E W, Bader S D, Hoffmann. A 2010 Phys. Rev. Lett. 104 046601Google Scholar

    [3]

    Demidov V E, Urazhdin S, Ulrichs H, et al. 2012 Nat. Mater. 11 1028Google Scholar

    [4]

    Hirsh J E 1999 Phys. Rev. Lett. 83 1834Google Scholar

    [5]

    Sinova J, Valenzuela S O, Wunderlich J, Back C H, Jungwirth T 2015 Rev. Mod. Phys. 87 1213Google Scholar

    [6]

    Maekawa S, Adachi H. Uchida A, Ieda K, Saitoh J E 2013 J. Phys. Soc. Jpn. 82 102002Google Scholar

    [7]

    韩方彬, 张文旭, 彭斌, 张万里 2015 物理学报 24 247202Google Scholar

    Han F B, Zhang W X, Peng B, Zhang W L 2015 Acta Phys. Sin. 24 247202Google Scholar

    [8]

    Kampfrath T, Battiato M, Maldonado P, et al. 2013 Nat. Nanotechnol. 8 256Google Scholar

    [9]

    Seifert T, Jaiswal S, Martens U, et al. 2016 Nat. Photon. 10 483Google Scholar

    [10]

    Battiato M, Carva K, Oppeneer P M 2010 Phys. Rev. Lett. 105 027203Google Scholar

    [11]

    Eschenlohr A, Battiato M, Maldonad P, et al. 2013 Nat. Mater. 12 332Google Scholar

    [12]

    Melnikov A, Razdolski I, Wehling T O, et al. 2011 Phys. Rev. Lett. 107 076601Google Scholar

    [13]

    Rudolf D, Chan L O, Battiato M, et al. 2012 Nature Commun. 3 1037Google Scholar

    [14]

    Wang X, Cheng L, Zhu D, et al. 2018 Adv. Opt. Mater. 30 1802356Google Scholar

    [15]

    Cheng L, Wang X B, Yang W F, et al. 2019 Nat. Phys. 15 347Google Scholar

    [16]

    Zhou X, Song B, Chen X, et al. 2019 Appl. Phys. Lett. 115 182402Google Scholar

    [17]

    Bauer G E W, Saitoh E, van Wees B J 2012 Nat. Mater. 11 391Google Scholar

    [18]

    Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, et al. 2001 Science 294 1488Google Scholar

    [19]

    Kikkawa T, Uchida K, Shiomi Y, et al. 2013 Phys. Rev. Lett. 110 067207Google Scholar

    [20]

    Bosu S, Sakuraba Y, Uchida K, Saito K, Ota T, Saitoh E, Takanashi K 2011 Phys. Rev. B 83 224401Google Scholar

    [21]

    Jaworski C M, Yang J, Mack S, Awschalom D D, Heremans J P, Myers R C 2010 Nat. Mater. 9 898Google Scholar

    [22]

    Uchida K, Xiao J, Adachi H, et al. 2010 Nat. Mater. 9 894Google Scholar

    [23]

    Uchida K, Nonaka T, Ota T, Nakayama H, Saitoh E 2010 Appl. Phys. Lett. 97 262504Google Scholar

    [24]

    Bai H, Zhan X Z, Li G, Su J, Zhu Z Z, Zhang Y, Zhu T, Cai J W 2019 Appl. Phys. Lett. 115 182401Google Scholar

    [25]

    Kajiwara Y, Harii K, Takahashi S, et al. 2010 Nature 464 262Google Scholar

    [26]

    Nakayama H, Althammer M, Chen Y T, et al. 2013 Phys. Rev. Lett. 110 206601Google Scholar

    [27]

    Jia X, Liu K, Xia K, Bauer G E W 2011 Europhys. Lett. 96 17005Google Scholar

    [28]

    Jungfleisch M B, Chumak A V, Kehlberger A, et al. 2015 Phys. Rev. B 91 134407Google Scholar

    [29]

    Geprags S, Meyer S, Altmannshofer S, et al. 2012 Appl. Phys. Lett. 101 262407Google Scholar

    [30]

    Seifert T S, Jaiswal S, Barker J, et al. 2018 Nat. Commun. 9 2899Google Scholar

    [31]

    Xiao J, Bauer G E W, Uchida K C, Saitoh E, Maekawa S 2010 Phys. Rev. B 81 214418Google Scholar

    [32]

    Lu W T, Zhao Y W, Battiato M, Wu Y Z, Yuan Z 2020 Phys. Rev. B 101 014435Google Scholar

    [33]

    张顺浓, 朱伟骅, 李炬赓, 金钻明, 戴晔, 张宗芝, 马国宏, 姚建铨 2018 物理学报 67 197202Google Scholar

    Zhang S N, Zhu W H, Li J G, Jin Z M, Dai Y, Zhang Z Z, Ma G H, Yao J Q 2018 Acta Phys. Sin. 67 197202Google Scholar

    [34]

    Wu S M, Pearson J E, Bhattacharya A 2015 Phys. Rev. Let. 114 186602Google Scholar

    [35]

    Saiga Y, Mizunuma K, Kono Y, Ryu J C, Ono H, Kohda M, Okuno E 2014 Appl. Phys. Express 7 093001Google Scholar

    [36]

    Jacob K T, Rajitha G 2012 Solid State Ionics 224 32Google Scholar

    [37]

    Jin Z, Zhang S, Zhu W, et al. 2019 Phys. Status Solidi RRL 13 1900057Google Scholar

    [38]

    Song B, Song Y, Zhang S, et al. 2019 Appl. Phys. Express 12 122003Google Scholar

    [39]

    Torosyan1 G, Keller S, Scheuer L, Beigang R, Papaioannou E T 2018 Sci. Rep. 8 1311Google Scholar

    [40]

    Barnes M E, Berry S A, Gow P, et al. 2013 Opt. Express 21 16263Google Scholar

    [41]

    Zhang S, Jin Z, Zhu Z, Zhu W, Zhang Z, Ma G, Yao J 2018 J. Phys. D: Appl. Phys. 51 034001Google Scholar

  • 图 1  (a) THz发射光谱实验装置图; (b) 在YIG/Pt双层膜结构中, 沿z轴方向外加面内磁场H = ± 200 mT, 飞秒激光诱导铁磁绝缘体和非磁性金属界面产生瞬态温度梯度 \nabla T (沿着–y轴; 红色表示高温, 蓝色表示低温), 超快SSE产生一个从YIG进入Pt层的自旋流(沿着–y轴), 基于ISHE, 在–x轴方向上产生瞬态电荷流; (c) 样品GGG//Pt(10)和GGG//YIG(60)/Pt(10)双层膜的THz辐射信号, +N和–N分别表示激光脉冲从Pt膜一侧和GGG衬底一侧辐照样品; (d), (e), (f) 分别表示(c)中GGG//Pt(10)和GGG//YIG(60)/Pt(10)的3种激发构置下的THz辐射原理图

    Fig. 1.  (a) Schematic of experimental setup for THz generation; (b) schematic of the YIG/Pt bilayer sample placed in the static in-plane magnetic field of ± 200 mT. A femtosecond laser pulse excites the YIG/Pt bilayer, a temperature gradient \nabla T is created at the interface of ferromagnetic insulator YIG and nonmagnetic metal Pt, launching a spin current (along the –y direction; the red part means the high temperature side and the blue part describes the low temperature side) from YIG layer into the Pt layer based on the SSE. Within the Pt layer, the spin current is converted into a charge current (along the –x direction) via ISHE; (c) measured electrooptic signal of THz emission from GGG//Pt(10) and GGG//YIG(60)/Pt(10) bilayer. THz emission signals are radiated with front (+N, red) and back (–N, blue) pumps; (d), (e), (f) the THz emission schematics of the three sample cases in (c).

    图 2  (a) GGG//YIG(40)/Pt(3), Si//YIG(40)/Pt(3), GGG//YIG(40)/Pt(3), Si//YIG(40)/Pt(3), GGG//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3)和Si//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3)不同结构样品所产生的THz辐射脉冲; (b) 飞秒激光脉冲激发YIG/Pt1st/Pt2nd结构辐射THz信号示意图; (c) 将图 (a) 中GGG//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3)和Si//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3)的时域谱线进行傅里叶变换后的归一化频谱图, 插图为THz发射光谱的半高全宽(ΔF)和中心频率(fc)

    Fig. 2.  (a) THz emitted EOS waveforms of GGG//YIG(40)/Pt(3), Si//YIG(40)/Pt(3), GGG//YIG(40)/Pt(3), Si//YIG(40)/Pt(3), GGG//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3) and Si//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3) heterostructures (layer thickness in nm); (b) schematic view of THz generation in YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3) heterostructures on GGG and Si substrates via SSE; (c) normalized frequency-domain THz signals of GGG//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3) and Si//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3) heterostructures. Inset: the full width at half maximum (ΔF) and center frequency (fc) for the normalized THz amplitude spectrum.

    图 3  (a) 外加磁场+H (蓝线)和–H (红线)时, GGG//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3)结构辐射的THz脉冲; (b) GGG//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3)结构在不同激光激发构置下产生的THz脉冲, 此时外加磁场固定为+H, 插图为飞秒脉冲激发样品的方向

    Fig. 3.  (a) THz signals emitted from the GGG//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3) bilayers applied with +H (blue line) and –H (red line); (b) THz emission signals with front- (blue line) and back- (orange line) pumps with +H. Insets: Schematic view of the laser pulse exciting the sample from the different sides.

    图 4  Si//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3)异质结构所产生的THz脉冲峰峰值与入射光能量密度的依赖关系. 图中紫色圆圈为实验数据点, 黑色曲线为拟合结果

    Fig. 4.  Peak-to-peak values of THz radiation from Si//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3) as a function of incident pump fluence. Purple circles: experimental data; black curve: fit line

    表 1  5种不同结构样品的制备过程及其归一化THz振幅对比

    Table 1.  Preparation processes of five different sample structures and their normalized THz amplitudes.

    样品序号样品结构(厚度/nm)生长步骤归一化THz振幅 (强度/arb. units )
    GGG//Pt(10)沉积Pt膜0
    GGG//YIG(60)/Pt(10)沉积YIG膜, 沉积Pt膜0.076
    GGG//YIG(40)/Pt(3), Si//YIG(40)/Pt(3)沉积YIG膜, YIG膜退火, 沉积Pt膜0.075, 0.045
    GGG//YIG(40)/Pt(3), Si//YIG(40)/Pt(3)沉积YIG膜, 沉积Pt膜, YIG/Pt双层膜退火0, 0
    GGG//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3), Si//YIG(40)/Pt1st(3)/Pt2nd(3)沉积YIG膜, 沉积Pt膜 (1st), YIG/Pt双层膜退火, 沉积Pt膜 (2nd)1.000, 0.121
    下载: 导出CSV
  • [1]

    Saitoh E, Ueda M, Miyajima H, Tatara G 2006 Appl. Phys. Lett. 88 182509Google Scholar

    [2]

    Mosendz O, Pearson J E, Fradin F Y, Bauer G E W, Bader S D, Hoffmann. A 2010 Phys. Rev. Lett. 104 046601Google Scholar

    [3]

    Demidov V E, Urazhdin S, Ulrichs H, et al. 2012 Nat. Mater. 11 1028Google Scholar

    [4]

    Hirsh J E 1999 Phys. Rev. Lett. 83 1834Google Scholar

    [5]

    Sinova J, Valenzuela S O, Wunderlich J, Back C H, Jungwirth T 2015 Rev. Mod. Phys. 87 1213Google Scholar

    [6]

    Maekawa S, Adachi H. Uchida A, Ieda K, Saitoh J E 2013 J. Phys. Soc. Jpn. 82 102002Google Scholar

    [7]

    韩方彬, 张文旭, 彭斌, 张万里 2015 物理学报 24 247202Google Scholar

    Han F B, Zhang W X, Peng B, Zhang W L 2015 Acta Phys. Sin. 24 247202Google Scholar

    [8]

    Kampfrath T, Battiato M, Maldonado P, et al. 2013 Nat. Nanotechnol. 8 256Google Scholar

    [9]

    Seifert T, Jaiswal S, Martens U, et al. 2016 Nat. Photon. 10 483Google Scholar

    [10]

    Battiato M, Carva K, Oppeneer P M 2010 Phys. Rev. Lett. 105 027203Google Scholar

    [11]

    Eschenlohr A, Battiato M, Maldonad P, et al. 2013 Nat. Mater. 12 332Google Scholar

    [12]

    Melnikov A, Razdolski I, Wehling T O, et al. 2011 Phys. Rev. Lett. 107 076601Google Scholar

    [13]

    Rudolf D, Chan L O, Battiato M, et al. 2012 Nature Commun. 3 1037Google Scholar

    [14]

    Wang X, Cheng L, Zhu D, et al. 2018 Adv. Opt. Mater. 30 1802356Google Scholar

    [15]

    Cheng L, Wang X B, Yang W F, et al. 2019 Nat. Phys. 15 347Google Scholar

    [16]

    Zhou X, Song B, Chen X, et al. 2019 Appl. Phys. Lett. 115 182402Google Scholar

    [17]

    Bauer G E W, Saitoh E, van Wees B J 2012 Nat. Mater. 11 391Google Scholar

    [18]

    Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, et al. 2001 Science 294 1488Google Scholar

    [19]

    Kikkawa T, Uchida K, Shiomi Y, et al. 2013 Phys. Rev. Lett. 110 067207Google Scholar

    [20]

    Bosu S, Sakuraba Y, Uchida K, Saito K, Ota T, Saitoh E, Takanashi K 2011 Phys. Rev. B 83 224401Google Scholar

    [21]

    Jaworski C M, Yang J, Mack S, Awschalom D D, Heremans J P, Myers R C 2010 Nat. Mater. 9 898Google Scholar

    [22]

    Uchida K, Xiao J, Adachi H, et al. 2010 Nat. Mater. 9 894Google Scholar

    [23]

    Uchida K, Nonaka T, Ota T, Nakayama H, Saitoh E 2010 Appl. Phys. Lett. 97 262504Google Scholar

    [24]

    Bai H, Zhan X Z, Li G, Su J, Zhu Z Z, Zhang Y, Zhu T, Cai J W 2019 Appl. Phys. Lett. 115 182401Google Scholar

    [25]

    Kajiwara Y, Harii K, Takahashi S, et al. 2010 Nature 464 262Google Scholar

    [26]

    Nakayama H, Althammer M, Chen Y T, et al. 2013 Phys. Rev. Lett. 110 206601Google Scholar

    [27]

    Jia X, Liu K, Xia K, Bauer G E W 2011 Europhys. Lett. 96 17005Google Scholar

    [28]

    Jungfleisch M B, Chumak A V, Kehlberger A, et al. 2015 Phys. Rev. B 91 134407Google Scholar

    [29]

    Geprags S, Meyer S, Altmannshofer S, et al. 2012 Appl. Phys. Lett. 101 262407Google Scholar

    [30]

    Seifert T S, Jaiswal S, Barker J, et al. 2018 Nat. Commun. 9 2899Google Scholar

    [31]

    Xiao J, Bauer G E W, Uchida K C, Saitoh E, Maekawa S 2010 Phys. Rev. B 81 214418Google Scholar

    [32]

    Lu W T, Zhao Y W, Battiato M, Wu Y Z, Yuan Z 2020 Phys. Rev. B 101 014435Google Scholar

    [33]

    张顺浓, 朱伟骅, 李炬赓, 金钻明, 戴晔, 张宗芝, 马国宏, 姚建铨 2018 物理学报 67 197202Google Scholar

    Zhang S N, Zhu W H, Li J G, Jin Z M, Dai Y, Zhang Z Z, Ma G H, Yao J Q 2018 Acta Phys. Sin. 67 197202Google Scholar

    [34]

    Wu S M, Pearson J E, Bhattacharya A 2015 Phys. Rev. Let. 114 186602Google Scholar

    [35]

    Saiga Y, Mizunuma K, Kono Y, Ryu J C, Ono H, Kohda M, Okuno E 2014 Appl. Phys. Express 7 093001Google Scholar

    [36]

    Jacob K T, Rajitha G 2012 Solid State Ionics 224 32Google Scholar

    [37]

    Jin Z, Zhang S, Zhu W, et al. 2019 Phys. Status Solidi RRL 13 1900057Google Scholar

    [38]

    Song B, Song Y, Zhang S, et al. 2019 Appl. Phys. Express 12 122003Google Scholar

    [39]

    Torosyan1 G, Keller S, Scheuer L, Beigang R, Papaioannou E T 2018 Sci. Rep. 8 1311Google Scholar

    [40]

    Barnes M E, Berry S A, Gow P, et al. 2013 Opt. Express 21 16263Google Scholar

    [41]

    Zhang S, Jin Z, Zhu Z, Zhu W, Zhang Z, Ma G, Yao J 2018 J. Phys. D: Appl. Phys. 51 034001Google Scholar

  • [1] 李翰楠, 彭滟. 激光脉冲啁啾影响双色激光场诱导气体产生太赫兹辐射特性的理论研究. 物理学报, 2024, 73(6): 060701. doi: 10.7498/aps.73.20231806
    [2] 程宏阳, 马倩茹, 徐浩然, 张慧萍, 金钻明, 何为, 彭滟. 硅基自旋光电子学太赫兹辐射源特性. 物理学报, 2024, 73(16): 167801. doi: 10.7498/aps.73.20240703
    [3] 魏高帅, 张慧, 吴晓君, 张洪瑞, 王春, 王博, 汪力, 孙继荣. 飞秒激光泵浦LaAlO3/SrTiO3异质结产生太赫兹波辐射. 物理学报, 2022, 71(9): 090702. doi: 10.7498/aps.71.20201139
    [4] 张帆, 许涌, 柳洋, 程厚义, 张晓强, 杜寅昌, 吴晓君, 赵巍胜. 磁控溅射法生长Bi2Te3/CoFeB双层异质结太赫兹发射. 物理学报, 2020, 69(20): 200705. doi: 10.7498/aps.69.20200634
    [5] 李晓璐, 白亚, 刘鹏. 激光等离子体光丝中太赫兹频谱的调控. 物理学报, 2020, 69(2): 024205. doi: 10.7498/aps.69.20191200
    [6] 加孜拉·哈赛恩, 朱恪嘉, 孙飞, 吴艳玲, 石友国, 赵继民. 三重简并拓扑半金属MoP中超快圆偏振光产生和调控光生热电流. 物理学报, 2020, 69(20): 207801. doi: 10.7498/aps.69.20200031
    [7] 姜聪颖, 孙飞, 冯子力, 刘世炳, 石友国, 赵继民. 三重简并拓扑半金属磷化钼的时间分辨超快动力学. 物理学报, 2020, 69(7): 077801. doi: 10.7498/aps.69.20191816
    [8] 苏玉伦, 尉正行, 程亮, 齐静波. 基于超快自旋-电荷转换的太赫兹辐射源. 物理学报, 2020, 69(20): 204202. doi: 10.7498/aps.69.20200715
    [9] 何冬梅, 彭斌, 张万里, 张文旭. 掺铌SrTiO3中的逆自旋霍尔效应. 物理学报, 2019, 68(10): 106101. doi: 10.7498/aps.68.20190118
    [10] 王伟民, 张亮亮, 李玉同, 盛政明, 张杰. 激光在大气中驱动的强太赫兹辐射的理论和实验研究. 物理学报, 2018, 67(12): 124202. doi: 10.7498/aps.67.20180564
    [11] 林贤, 金钻明, 李炬赓, 郭飞云, 庄乃锋, 陈建中, 戴晔, 阎晓娜, 马国宏. 非线性克尔效应对飞秒激光偏振的超快调制. 物理学报, 2018, 67(23): 237801. doi: 10.7498/aps.67.20181450
    [12] 张顺浓, 朱伟骅, 李炬赓, 金钻明, 戴晔, 张宗芝, 马国宏, 姚建铨. 铁磁异质结构中的超快自旋流调制实现相干太赫兹辐射. 物理学报, 2018, 67(19): 197202. doi: 10.7498/aps.67.20181178
    [13] 李书磊, 刘磊, 高太长, 黄威, 胡帅. 太赫兹波被动遥感卷云微物理参数的敏感性试验分析. 物理学报, 2016, 65(13): 134102. doi: 10.7498/aps.65.134102
    [14] 朱卫卫, 张秋菊, 张延惠, 焦扬. 电子在激光驻波场中运动产生的太赫兹及X射线辐射研究. 物理学报, 2015, 64(12): 124104. doi: 10.7498/aps.64.124104
    [15] 韩方彬, 张文旭, 彭斌, 张万里. NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应. 物理学报, 2015, 64(24): 247202. doi: 10.7498/aps.64.247202
    [16] 张铠云, 杜海伟, 陈民, 盛政明. 基于光场离化电流机制产生强太赫兹辐射的参数优化研究. 物理学报, 2012, 61(16): 160701. doi: 10.7498/aps.61.160701
    [17] 祁春超, 欧阳征标. 基于600—2000 nm抽运源的太赫兹相干光源的最新进展. 物理学报, 2011, 60(9): 090704. doi: 10.7498/aps.60.090704
    [18] 钟凯, 姚建铨, 徐德刚, 张会云, 王鹏. 级联差频产生太赫兹辐射的理论研究. 物理学报, 2011, 60(3): 034210. doi: 10.7498/aps.60.034210
    [19] 黄楠, 李雪峰, 刘红军, 夏彩鹏. 增益饱和对光学差频产生太赫兹辐射的功率和稳定性的影响. 物理学报, 2009, 58(12): 8326-8331. doi: 10.7498/aps.58.8326
    [20] 邓玉强, 郎利影, 邢岐荣, 曹士英, 于 靖, 徐 涛, 李 健, 熊利民, 王清月, 张志刚. Gabor小波分析太赫兹波时间-频率特性的研究. 物理学报, 2008, 57(12): 7747-7752. doi: 10.7498/aps.57.7747
计量
  • 文章访问数:  11207
  • PDF下载量:  294
出版历程
  • 收稿日期:  2020-05-15
  • 修回日期:  2020-06-11
  • 上网日期:  2020-06-12
  • 刊出日期:  2020-10-20

/

返回文章
返回