单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (5): 058501     doi:10.7498/aps.62.058501
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单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型
靳钊1, 乔丽萍2, 郭晨1, 王江安1, 刘策1 3
1. 长安大学信息工程学院, 西安 710064;
2. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
3. University of Houston, Houston, Texas, USA
Electronic conductivity effective masses along arbitrary directional channel in uniaxial strained Si(001)
Jin Zhao1, Qiao Li-Ping2, Guo Chen1, Wang Jiang-An1, Richard C. Liu1 3
1. School of Information Engineering, Chang'an University, Xi'an 710064, China;
2. Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China;
3. University of Houston, Houston, Texas, USA

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