高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (8): 086101     doi:10.7498/aps.62.086101
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高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为
吴渊渊1 2, 郑新和1, 王海啸1 2, 甘兴源1 2, 文瑜1, 王乃明1, 王建峰1, 杨辉1
1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123;
2. 中国科学院大学, 北京 100080
High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN
Wu Yuan-Yuan1 2, Zheng Xin-He1, Wang Hai-Xiao1 2, Gan Xing-Yuan1 2, Wen Yu1, Wang Nai-Ming1, Wang Jian-Feng1, Yang Hui1
1. Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China;
2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China

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