外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (23): 237104     doi:10.7498/aps.62.237104
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外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响
王文娟1, 王海龙1, 龚谦2, 宋志棠2, 汪辉3, 封松林3
1. 山东省激光偏光与信息技术重点实验室, 曲阜师范大学物理系, 曲阜 273165;
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050;
3. 中国科学院上海高等研究院, 上海 201203
External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP quantum wells
Wang Wen-Juan1, Wang Hai-Long1, Gong Qian2, Song Zhi-Tang2, Wang Hui3, Feng Song-Lin3
1. Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology, Department of Physics, Qufu Normal University, Qufu 273165, China;
2. State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;
3. Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201203, China

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