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N/P沟道MOSFET1/f噪声的统一模型

包军林 庄奕琪 杜 磊 李伟华 万长兴 张 萍

N/P沟道MOSFET1/f噪声的统一模型

包军林, 庄奕琪, 杜 磊, 李伟华, 万长兴, 张 萍
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-11-12
  • 修回日期:  2005-01-18
  • 刊出日期:  2005-05-10

N/P沟道MOSFET1/f噪声的统一模型

  • 1. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276028),国防预研基金(批准号:51411040601DZ014),国防 科技重点实验室基金(批准号:51433030103DZ01)资助的课题.

摘要: 对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的1/f噪声特性进行了实验和理论研究.实验结 果表明,虽然nMOSFET的1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级,但是其噪声幅值均表现出和 有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律.基于该实验结果 ,认为MOSFET的1/f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷 阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致 沟道载流子迁移率的涨落.在这两种涨落机理的基础上,引入了氧化层陷阱的分布特征及其 与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式,建立了MOSFET l/f噪声的统一模型.实验结果 和本文模型符合良好.

English Abstract

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