搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究

朱秀红 陈光华 丁 毅 贺德衍 刘国汉

HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究

朱秀红, 陈光华, 丁 毅, 贺德衍, 刘国汉
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3904
  • PDF下载量:  1228
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-02
  • 修回日期:  2006-04-02
  • 刊出日期:  2006-11-20

HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究

  • 1. (1)北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京 100022; (2)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (3)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京 100022; (4)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;甘肃省科学院传感技术研究所,兰州 730000
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:G000028201)和甘肃省自然科学基金(批准号: 3ZS051-A25-052)资助的课题.

摘要: 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回