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基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征

钟红梅 陈效双 王金斌 夏长生 王少伟 李志锋 徐文兰 陆 卫

基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征

钟红梅, 陈效双, 王金斌, 夏长生, 王少伟, 李志锋, 徐文兰, 陆 卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-04-13
  • 修回日期:  2005-11-10
  • 刊出日期:  2006-02-05

基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目 (批准号: G10234040)资助的课题.

摘要: 通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影 响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所 致,退火样品528cm-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明,退 火对高剂量注入样品的可见发光带有增强作用.

English Abstract

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