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考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

李艳萍 徐静平 陈卫兵 许胜国 季 峰

考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季 峰
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-05
  • 修回日期:  2005-12-31
  • 刊出日期:  2006-07-20

考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

  • 1. 华中科技大学 电子科学与技术系,武汉 430074
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60376019)和湖北省自然科学基金(批准号:2003ABA087)资助的课题.

摘要: 通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计.

English Abstract

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