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电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响

张剑铭 邹德恕 徐 晨 顾晓玲 沈光地

电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响

张剑铭, 邹德恕, 徐 晨, 顾晓玲, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-24
  • 修回日期:  2007-03-27
  • 刊出日期:  2007-05-05

电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响

  • 1. 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB604902),北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504)和国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A121)资助的课题.

摘要: 在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里,电流要侧向传输,当尺寸与电流密度加大之后,由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略,造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构,以减小电流横向传输距离,制作出两种不同电极结构的大功率GaN基倒装LED.通过比较这两种不同电极结构的GaN基倒装大功率LED的电、光性能,发现在350mA正向电流下,插指电极结构的倒装大功率GaN基LED的正向电压为3.35V,比环形插指电极结构的倒装大功率GaN基LED高0.15V.尽管环形插指电极结构GaN基LED的发光面积略小于插指电极结构GaN基LED,但在大电流下,环形插指电极结构倒装GaN基LED的光输出功率比插指电极结构的倒装大功率LED的光输出功率大.并且在大电流下,环形插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和速度慢,而插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和明显.这说明优化电极结构能提高电流扩展均匀性,减小焦耳热的产生,改善GaN基LED的性能.

English Abstract

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