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Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响

甄聪棉 马 丽 张金娟 刘 英 聂向富

Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响

甄聪棉, 马 丽, 张金娟, 刘 英, 聂向富
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-02
  • 修回日期:  2006-09-01
  • 刊出日期:  2007-07-11

Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响

  • 1. 河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄 050016
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10274018)、河北师范大学博士基金(批准号:L2003B08)和河北省自然科学基金 (批准号:A2005000143) 资助的课题.

摘要: 利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X (X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.

English Abstract

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