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H2, He混合稀释生长微晶硅锗薄膜

张丽平 张建军 张 鑫 尚泽仁 胡增鑫 张亚萍 耿新华 赵 颖

H2, He混合稀释生长微晶硅锗薄膜

张丽平, 张建军, 张 鑫, 尚泽仁, 胡增鑫, 张亚萍, 耿新华, 赵 颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-29
  • 修回日期:  2008-04-25
  • 刊出日期:  2008-11-20

H2, He混合稀释生长微晶硅锗薄膜

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    科技部基础研究973项目(批准号:2006CB202602, 2006CB202603),科技部国际合作项目(批准号:2006DFA62390),天津市应用基础及前沿技术研究计划(批准号: 08JCZDJC 22200),国家科技计划配套项目(批准号: 07QTPTJC29500)资助的课题.

摘要: 采用H2,He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜,并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明:混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目,降低等离子体中的电子温度;用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现,通过优化混合稀释气体中He和H2气体的比例,能够减少薄膜中的缺陷态,促进薄膜择优取向生长,有效改善微晶硅锗薄膜结构,提高光电吸收性能.

English Abstract

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