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淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究

邢艳辉 邓军 韩军 李建军 沈光地

淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究

邢艳辉, 邓军, 韩军, 李建军, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-12-13
  • 修回日期:  2008-09-27
  • 刊出日期:  2009-04-20

淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究

  • 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京 100124
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)(批准号:SQ2007AA03Z431230)和北京市教育委员会科技发展计划 (批准号:KM200810005002)资助的课题.

摘要: 采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—03°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,02°和03°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶重构直接导致的台阶朝向随机分布、疏密不匀的形貌.电子背散射分析表明,在0°倾角衬底的n型GaN外延层的应力随外延厚度增加而增加,而02°和03°倾角衬底的n型GaN外延层的应力没有明显的变化.电学和光学特性研究表明,02°和03°倾角衬底的n型GaN有较高的电子浓度和较低的黄光带与近带边强度之比.

English Abstract

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