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椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

谷锦华 丁艳丽 杨仕娥 郜小勇 陈永生 卢景霄

椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

谷锦华, 丁艳丽, 杨仕娥, 郜小勇, 陈永生, 卢景霄
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-24
  • 修回日期:  2008-11-03
  • 刊出日期:  2009-06-20

椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

  • 1. 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州 450052
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)和河南省自然科学基金(批准号:82300443203)资助的课题.

摘要: 采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明,沉积气压Pg=300 Pa时,β=0.81,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为.这表明微晶硅薄膜高速生长中还存在其他粗糙化增加的因素,此粗糙化增加的因素与阴影作用有关.

English Abstract

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