搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型

王冠宇 马建立 张鹤鸣 王晓艳 王斌

[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型

王冠宇, 马建立, 张鹤鸣, 王晓艳, 王斌
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3365
  • PDF下载量:  647
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-07
  • 修回日期:  2010-10-30
  • 刊出日期:  2011-07-15

[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委资助项目(批准号:51308040203, 6139801),中央高校基本科研业务费(批准号:72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008) 资助的课题.

摘要: 本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体Si材料能带结构参数的影响,在此基础上计算出单轴应变Si中平衡载流子浓度,给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式.最后,结合有效态密度和禁带宽度的表达式,建立了[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型.本文的研究方法亦适用于建立(001)面任意应力方向上的应变Si本征载流子浓度模型,并为相关单轴应变Si器件的设计、建模以及仿真提供了一定的理论参考.

English Abstract

参考文献 (8)

目录

    /

    返回文章
    返回