搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究

陈可明 周国良 盛篪 蒋维栋 张翔九

Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究

陈可明, 周国良, 盛篪, 蒋维栋, 张翔九
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2837
  • PDF下载量:  676
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1989-06-23
  • 刊出日期:  2005-06-22

Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究

  • 1. (1)复旦大学表面物理实验室,上海,200433; (2)复旦大学表面物理实验室,上海,200434; (3)复旦大学表面物理实验室,上海,200435; (4)复旦大学表面物理实验室,上海,200436; (5)复旦大学表面物理实验室,上海,200437

摘要: 本文利用RHEED和AES对Ge/Si(111)和Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构进行了研究。由此提出了其生长模式,并讨论了应力对生长特性、界面特性和表面再构的作用。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回