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基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型

孙鹏 杜磊 陈文豪 何亮

基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型

孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮
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  • 基于金属-氧化物-半导体-场效应管(MOSFET)辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系的表达式.又根据MOSFET中1/f噪声产生的微观机理,建立了辐照之前MOSFET的1/f噪声功率谱幅值与阈值电压漂移量之间的定量关系,并通过实验予以验证.结果表明,辐照之前的1/f噪声功率谱幅值与辐照之后的阈值电压漂移量存在正比例关系,阈值电压漂移量可以反映出MOSFET内部的潜在缺陷的退化程度,因此,该模型有助于利用1/f噪声参量来表征MOSFET内部潜在缺陷的数量和严重程度.
      通信作者: 孙鹏, stevesun517@gmail.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60276028)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-26
  • 修回日期:  2011-08-03
  • 刊出日期:  2012-03-20

基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型

  • 1. 西安电子科技大学技术物理学院, 西安 710071
  • 通信作者: 孙鹏, stevesun517@gmail.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60276028)资助的课题.

摘要: 基于金属-氧化物-半导体-场效应管(MOSFET)辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系的表达式.又根据MOSFET中1/f噪声产生的微观机理,建立了辐照之前MOSFET的1/f噪声功率谱幅值与阈值电压漂移量之间的定量关系,并通过实验予以验证.结果表明,辐照之前的1/f噪声功率谱幅值与辐照之后的阈值电压漂移量存在正比例关系,阈值电压漂移量可以反映出MOSFET内部的潜在缺陷的退化程度,因此,该模型有助于利用1/f噪声参量来表征MOSFET内部潜在缺陷的数量和严重程度.

English Abstract

参考文献 (33)

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