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用Pendell?sung条纹研究硅单晶中微缺陷

李明 麦振洪 崔树范

用Pendell?sung条纹研究硅单晶中微缺陷

李明, 麦振洪, 崔树范
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-03-29
  • 刊出日期:  1994-01-20

用Pendell?sung条纹研究硅单晶中微缺陷

  • 1. 中国科学院物理研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的项目.

摘要: 以X射线衍射统计动力学为基础,讨论了一种用X射线截面形貌图测定静态Debye-Waller因子的方法.通过仔细分析截面形貌图中Pendell?sung干涉条纹振荡周期和强度的变化,得到了经热处理后的CZ硅和MCZ硅单晶样品的静态Debye-Waller因子,并求得样品中氧沉淀的浓度和平均尺寸.这种定量化的研究方法为揭示晶体中微缺陷的性质及形成机理提供了新途径.

English Abstract

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