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外加磁场对磁控溅射制备氮化硅陷光薄膜的影响

江强 毛秀娟 周细应 苌文龙 邵佳佳 陈明

外加磁场对磁控溅射制备氮化硅陷光薄膜的影响

江强, 毛秀娟, 周细应, 苌文龙, 邵佳佳, 陈明
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-23
  • 修回日期:  2013-01-25
  • 刊出日期:  2013-06-05

外加磁场对磁控溅射制备氮化硅陷光薄膜的影响

  • 1. 上海工程技术大学材料工程学院, 上海 201620
    基金项目: 

    上海工程技术大学研究生科研创新项目(批准号: 2011yjs18)和上海高校一流学科建设计划 (批准号: YLJX12-2) 资助的课题.

摘要: 在基底与靶材之间放置磁性强弱不同的永久磁铁来研究外加磁 场对磁控溅射制备氮化硅陷光薄膜的影响. 通过X射线衍射、原子力显微镜 (AFM) 以及紫外分光光度计分别测试了外加磁场前后所制备薄膜的组织结构、表面形貌和光学性能. 结果表明, 外加磁场后, 氮化硅薄膜依然呈现非晶结构; 但是表面形貌发生明显改变, 中心磁场1.50 T下, 薄膜表面为特殊锥状尖峰结构类金字塔的突起, 而且这些突起颗粒垂直于基底表面; 在 可见光及近红外范围内, 中心磁场1.50 T 下的薄膜样品平均透射率最大, 平均透射率达到90% 以上, 比未加磁场的样品提高了近1 倍, 具有很好的陷光特性.

English Abstract

参考文献 (15)

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